宽光谱窄带隙微晶硅锗太阳电池研究

刘群; 倪牮; 张建军; 马峻; 王昊; 赵颖

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宽光谱窄带隙微晶硅锗太阳电池研究

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采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,制备了高锗含量(原子百分含量)的氢化微晶硅锗(μc-Si1-xGex:H)材料.通过锗含量、拉曼光谱、吸收系数以及电导率测试,研究了不同离子轰击条件下μc-Si1-xGex:H薄膜的结构及光电性能.在高离子轰击条件下制备的高锗含量的μc-Si1xGex:H薄膜显示,锗的掺入速度有所降低,晶化率和吸收系数较高且光敏性明显提高;本征层锗含量x=77％的μc-Si1 Gex:H太阳电池的量子效率在长波段显著增强且光谱响应拓展至1 300 nm,此时电池效率达到3.16％.

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来源
《中国科技论文》 |2015年第4期|429-432|共4页
作者
刘群; 倪牮; 张建军; 马峻; 王昊; 赵颖;
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作者单位

南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,光电信息技术科学教育部重点实验室,光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,天津300071;

南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,光电信息技术科学教育部重点实验室,光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,天津300071;

南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,光电信息技术科学教育部重点实验室,光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,天津300071;

南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,光电信息技术科学教育部重点实验室,光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,天津300071;

南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,光电信息技术科学教育部重点实验室,光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,天津300071;

南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,光电信息技术科学教育部重点实验室,光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,天津300071;

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正文语种 chi
中图分类薄膜的性质;
关键词
微晶硅锗; 离子轰击; 长波响应; 太阳电池;

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