Na掺杂p型ZnOSe薄膜的制备及表征

蔡晖; 张志远; 黄靖云

首页> 中文期刊> 《中国科技论文》 >Na掺杂p型ZnOSe薄膜的制备及表征

Na掺杂p型ZnOSe薄膜的制备及表征

开具论文收录证明 >>

期刊封面封底目录下载 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

使用脉冲激光沉积技术在石英衬底上制备了ZnOSe薄膜。不同温度下对ZnOSe薄膜在N2气氛中进行快速退火。采用X射线衍射、Hall测试、紫外-可见透射光谱测试及X射线光电子谱等分析测试技术对薄膜进行结构和性能表征,结果表明：ZnOSe薄膜具有良好的（002）择优取向;800℃退火后的薄膜中空穴浓度达到了1.517×1017 cm-3,实现了p型导电。

著录项

来源
《中国科技论文》 |2015年第4期|P.475-477|共3页
作者
蔡晖; 张志远; 黄靖云;
展开▼
作者单位

浙江大学材料科学与工程学院,杭州310027;

展开▼
原文格式 PDF
正文语种 CHI
中图分类化合物半导体;
关键词
p型掺杂; ZnOSe薄膜; 脉冲激光沉积; 表征;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. Na掺杂p型ZnOSe薄膜的制备及表征 [J] . 蔡晖 ,张志远 ,黄靖云 . 中国科技论文 . 2015,第004期
2. K掺杂P型ZnO薄膜的制备及其表征 [J] . 武军 ,杨银堂 . 西安电子科技大学学报（自然科学版） . 2008,第001期
3. 氮掺杂p型MgxZn1-xO薄膜的制备及其表征 [J] . 姚斌 ,崔海峰 ,丛春晓 . 吉林师范大学学报（自然科学版） . 2008,第003期
4. B-N共掺杂p型MgZnO薄膜的制备与电学性能 [J] . 高丽丽 ,王旭 . 发光学报 . 2020,第010期
5. 原位As掺杂p型碲镉汞薄膜的制备研究 [J] . SONG Shu-fang ,TIAN Zhen . 激光与红外 . 2018,第012期
6. 用原子源辅助激光分子束外延氮掺杂p型ZnO薄膜的制备与表征 [C] . . 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 . 2008
7. ZnOSe合金薄膜的制备及p型掺杂研究 [A] . 蔡晖 . 2014

Na掺杂p型ZnOSe薄膜的制备及表征

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅