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贡顶; 韩峰; 王建国;
西北核技术研究所,西安710024;
金属半导体场效应管; 砷化镓2; 维半导体模拟; 流体动力学模型; AUSM+up格式;
机译:砷化镓中电子传输的两谷流体动力学模型:耿氏振荡的模拟
机译:砷化镓中电子传输的两谷流体动力学模型:Gunn振荡的模拟
机译:互补金属氧化物半导体(CMOS)兼容砷化镓金属 - 半导体 - 金属光电探测器(GaAs MSMPDS)在硅上使用超薄锗缓冲层进行可见光应用
机译:砷化镓半导体建模中的交互式工具。砷化镓
机译:基于氮化铝镓铟材料系统和新型多端子砷化镓晶闸管的半导体发光器的数值模拟。
机译:特征及模型分析金属 - 半导体 - 金属砷化镓二极管以pd /二氧化硅合剂电极
机译:砷化镓中电子输运的双谷流体动力学模型:Gunn振荡的模拟
机译:基于硅和砷化镓的金属氧化物半导体(mOs)电容器的扫描光电压研究
机译:场效应管制造处理特别是亚微米量子线沟道-使用两级电子束抗蚀剂系统,在抗蚀剂层中具有不同的电子曝光灵敏度,并在砷化镓层中形成栅极凹口,并在砷化铝镓沟道层中干刻蚀出孔
机译:场效应管金属半导体FET-具有两个栅电极,两个栅电极均控制砷化镓衬底中的源极-漏极电流
机译:用于近红外辐射的半导体光电阴极-包括透明的砷化镓铝镓层和电子发射砷化镓铟锡层
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