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【2h】

Characterization and Modeling Analysis for Metal-Semiconductor-Metal GaAs Diodes with Pd/SiO2 Mixture Electrode

机译：特征及模型分析金属 - 半导体 - 金属砷化镓二极管以pd /二氧化硅合剂电极

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摘要

Characterization and modeling of metal-semiconductor-metal (MSM) GaAs diodes using to evaporate SiO2 and Pd simultaneously as a mixture electrode (called M-MSM diodes) compared with similar to evaporate Pd as the electrode (called Pd-MSM diodes) were reported. The barrier height (φ b) and the Richardson constant (A*) were carried out for the thermionic-emission process to describe well the current transport for Pd-MSM diodes in the consideration of the carrier over the metal-semiconductor barrier. In addition, in the consideration of the carrier over both the metal-semiconductor barrier and the insulator-semiconductor barrier simultaneously, thus the thermionic-emission process can be used to describe well the current transport for M-MSM diodes. Furthermore, in the higher applied voltage, the carrier recombination will be taken into discussion. Besides, a composite-current (CC) model is developed to evidence the concepts. Our calculated results are in good agreement with the experimental ones.
机译：报道了与同时蒸发SiO2和Pd作为混合电极（称为M-MSM二极管）的金属-半导体-金属（MSM）GaAs二极管（与称为Pd-MSM二极管的蒸发）相似的特性和建模。针对热电子发射过程进行了势垒高度（φb）和理查森常数（A *），以充分考虑金属半导体势垒上方的载流子，很好地描述了Pd-MSM二极管的电流传输。另外，考虑到同时在金属-半导体势垒和绝缘体-半导体势垒上的载流子，因此热电子发射过程可以很好地描述M-MSM二极管的电流传输。此外，在更高的施加电压下，将讨论载流子复合。此外，建立了复合电流（CC）模型以证明概念。我们的计算结果与实验结果吻合良好。

著录项

  • 期刊名称 other
  • 作者

    Shih-Wei Tan; Shih-Wen Lai;

  • 作者单位
  • 年(卷),期 -1(7),11
  • 年度 -1
  • 页码 e50681
  • 总页数 5
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种
  • 中图分类
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