光胶做挡光层的紫外光刻掩膜用于高聚物芯片表面选择性光化学改性

孔泳; 陈恒武; 云晓; 郝振霞; 方肇伦

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光胶做挡光层的紫外光刻掩膜用于高聚物芯片表面选择性光化学改性

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紫外光谱研究表明,AZ正性光胶当厚度大于10 μm时,在200～285 nm的紫外光区几乎不透光.本研究据此研制了一种以固化后的AZ光胶做挡光层、石英玻璃做底板的紫外光刻掩膜.应用AZ光胶掩膜对聚碳酸酯(PC)表面进行以低压汞灯(主要辐射254 nm紫外光)为光源的选择性光化学改性,在光照区域形成化学镀所需的催化中心后,采用化学镀技术,在PC毛细管电泳芯片上制备安培检测用的集成化金微电极.本掩膜材料简单,制作方便,无须洁净实验室和贵重的设备,成本低廉.

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来源
《分析化学》 |2007年第5期|623-627|共5页
作者
孔泳; 陈恒武; 云晓; 郝振霞; 方肇伦;
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作者单位

浙江大学化学系微分析系统研究所,杭州,310028;

浙江大学化学系微分析系统研究所,杭州,310028;

浙江大学化学系微分析系统研究所,杭州,310028;

浙江大学化学系微分析系统研究所,杭州,310028;

浙江大学化学系微分析系统研究所,杭州,310028;

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正文语种 chi
中图分类化学;
关键词
光刻掩膜; AZ光胶; 聚碳酸酯; 光化学改性; 金微电极;

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