紫外光诱导哈茨木霉产生腐霉利抗性菌株的研究

丁中; 刘峰; 慕立义

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紫外光诱导哈茨木霉产生腐霉利抗性菌株的研究

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通过紫外光照射结合使用含药培养基培养得到了 3个哈茨木霉腐霉利抗性突变菌株。抗性菌株与亲本菌株相比较 ,其抗药性提高 1 0 0倍以上 ,与异菌脲、菌核净和甲基立枯磷存在交互抗性。抗性菌株在无药培养基上连续转移培养 8次 ,抗性程度未见下降。在适合度上 ,抗性菌株的菌丝生长速率有所下降 ,而在产孢能力、活体抑菌能力上有的抗性菌株要高于亲本菌株。

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来源
《中国生物防治学报》 |2002年第2期|75-78|共4页
作者
丁中; 刘峰; 慕立义;
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作者单位

山东农业大学植物保护学院;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类基因的结构和突变的分子原理;
关键词
哈茨木霉; 腐霉利; 抗药性; 紫外光诱导; 抗性菌株;

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