Ka波段AlGaN/GaN HEMT栅结构仿真研究

王东方; 刘新宇

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为了研究适合Ka波段AlGaN/GaN HEMT的栅结构尺寸,借助二维器件仿真软件Silvaco Atlas,在完善仿真模型的基础上研究了Γ型栅各部分对AlGaN/GaN HEMT特性的影响,包括栅长与短沟道效应的关系、栅与沟道距离对短沟道效应和饱和漏电流的影响,以及栅金属厚度对fmax,栅场板对fT、fmax和内部电场的影响.根据典型器件结构和材料参数的仿真表明,为了提高频率并减轻短沟道效应,栅长应取0.15～0.25 μm;减小栅与沟道的距离可略微改善短沟道效应,但会明显降低器件的饱和漏电流,综合考虑栅调制能力、饱和漏电流、短沟道效应三个方面,栅与沟道距离应取10～20 nm;为了提高fmax,栅金属厚度应大于0.4 μm;缩小栅场板长度可有效提高器件的频率,兼顾Ka波段应用和提高击穿电压,栅场板长度应在0.3～0.4 μm左右.仿真得出的器件性能随结构参数的变化趋势以及尺寸数据对于Ka波段AlGaN/GaN HEMT的研究具有参考意义.

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来源
《电子器件》 |2009年第5期|859-863|共5页
作者
王东方; 刘新宇;
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作者单位

中国科学院微电子研究所,北京,100029;

中国科学院研究生院,北京,100029;

中国科学院微电子研究所,北京,100029;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN325.3;
关键词
氮化镓; AlGaN/GaN HEMT; 高电子迁移率晶体管; Ka 波段; 仿真;

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