超结的击穿机理与特性分析

孙军; 王彩琳; 高勇

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利用ISE软件模拟了阻断状态下超结(SJ)的耗尽层与电场分布,从电场分布的角度解释了SJ的击穿机理.并分析关键参数,如P柱与n柱的宽度、浓度等变化对超结击穿电压的影响.结果表明,SJ的击穿机理与传统的圆柱型结不同,SJ的击穿并不发生在结面的拐点处.并且,通过调整边缘区域P柱或n柱的宽度和浓度来提高SJ器件耐压及其稳定性.

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来源
《电子器件》 |2008年第3期|1026-1029|共4页
作者
孙军; 王彩琳; 高勇;
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作者单位

西安理工大学电子工程系,西安,710048;

西安理工大学电子工程系,西安,710048;

西安理工大学电子工程系,西安,710048;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN312+4;TN313+4;
关键词
电力半导体器件; 超结; 击穿; 电荷平衡; 电场分布;

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