电荷平衡
电荷平衡的相关文献在1982年到2022年内共计229篇,主要集中在化学、电工技术、无线电电子学、电信技术
等领域,其中期刊论文94篇、会议论文7篇、专利文献90778篇;相关期刊78种,包括南都学坛、东华理工大学学报(社会科学版)、电测与仪表等;
相关会议7种,包括2015年中国生物医学工程联合学术年会、2012年全国矿物科学与工程学术会议、综合电子系统技术教育部重点实验室暨四川省高密度集成器件工程技术研究中心2012学术年会等;电荷平衡的相关文献由461位作者贡献,包括张波、何佩天、李亦衡等。
电荷平衡—发文量
专利文献>
论文:90778篇
占比:99.89%
总计:90879篇
电荷平衡
-研究学者
- 张波
- 何佩天
- 李亦衡
- 管灵鹏
- A·P-S·谢
- C·吴
- F·乌德雷亚
- G·卡穆索
- R·K·维特拉
- Y·唐
- 亚历山大·维克托罗维奇·博洛特尼科夫
- 任炜强
- 列扎·甘迪
- 哈姆扎·依玛兹
- 安荷·叭剌
- 张成糕
- 彼得·阿尔默恩·洛斯
- 戴维·阿兰·利林菲尔德
- 施彦豪
- 李在吉
- 李肇基
- 王宇
- 约瑟夫·安德鲁·叶季纳科
- 纳维恩·蒂皮勒内尼
- 耿舒欣
- 迪瓦·N·巴达纳亚克
- 郝雯娟
- 陈军
- 马国荣
- 乔明
- 何俊卿
- 刘教民
- 吴侊勋
- 吴奇
- 尹钟晚
- 斯蒂芬·戴利·阿瑟
- 李凌峰
- 李轩
- 杨昆
- 王常旺
- 王睿
- 章文通
- 邓小川
- A.佩希拉纳
- A·桑坦格罗
- C.凯因
- E.霍夫曼
- E·朔马克
- G·卢格尔特
- G·郎戈
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朱晨凯;
赵琳娜;
顾晓峰;
周锦程;
杨卓
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摘要:
为了降低屏蔽栅沟槽型(SGT,Shield Gate Trench)MOSFET的导通电阻、提高器件的品质因数,通常使用增加屏蔽栅沟槽深度和密度的方法,但是在刻蚀高密度深沟槽时会使晶圆产生严重的翘曲现象。因此,提出一种100 V具有子沟槽(ST,Sub-Trench)的SGT(ST-SGT)器件结构。在相邻的主沟槽间插入子沟槽后,显著降低了器件栅极附近的电场峰值,避免栅氧化层出现过早击穿,同时较浅的子沟槽提升了外延层纵向电场分布的均匀性,改善了高密度深沟槽带来的晶圆翘曲问题。通过使用Sentaurus TCAD仿真软件,调节子沟槽深度和上层外延层电阻率两个重要参数,对ST-SGT进行优化设计。结果表明,当子沟槽深度为2.5μm、上层外延电阻率为0.23Ω·cm时,对应的ST-SGT的品质因数(FOM,Figure of Merit)最大,此时击穿电压为135.8 V,特征导通电阻为41.4 mΩ·mm^(2)。优化后的ST-SGT与传统SGT相比,其FOM提高了19.6%。
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李昕雨;
张含;
余鑫;
周伟;
杨建;
黄平
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摘要:
针对电离室输出宽量程双极性微弱电流的测量需求,在积分电路的基础上,研究了基于电荷平衡原理的多斜积分电路测量系统。在对输入电流的积分过程中,通过切换正负参考电源实现对电容的充电或放电,电容充电和放电所占的周期数形成测量系统的高位读数。利用一个测量周期开始和结束时电容电压的差值,形成测量系统的低位读数。通过标准电流源进行测试,该测量系统能够实现±24.5 nA的双极性微弱电流测量,满量程的最大线性误差为0.014 3%。重复测试100 pA输入电流,得到标准差分为0.088 97。实验结果表明:测量系统的线性度和重复性很好、精度高、量程广,能满足实际测量的需求并且应用领域广泛。
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谢元平;
丁浩珅;
樊振方;
于旭东;
罗晖
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摘要:
针对惯性导航系统现有加速度计电流信号转换电路的不足,提出了一种基于电荷平衡和自动跟踪原理的加速度计电流数字转换方法(CDC),从工作原理上大幅提升转换电路性能。CDC对输入电流和反馈跟踪电流积分输出误差电压,依据该误差电压实时调整其数字输出d以及与d成比例的反馈跟踪电流,实时反馈控制使误差电压稳定在0附近,实现输入电流和反馈跟踪电流二者电荷平衡。设计了单路CDC电路用于原理验证和性能测试。实验表明,±40 mA电流范围内CDC电路标度因数不对称性优于5 ppm,非线性优于10 ppm,电流分辨率优于0.5 nA,动态范围大于164 dB;采用查找表技术补偿后-40°C~+60°C温度区间零偏变化小于30 nA、标度因数变化小于20 ppm,且各性能指标均有较大改善空间。电荷平衡和自动跟踪型加速度计电流数字转换技术具有动态范围大、精度高、分辨率高、易补偿等优点,具有非常好的应用前景。
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肖尊宏
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摘要:
采用化学共沉淀法合成了CaAl_(11.98)O_(19:0.02)Mn^(4+)和Zn_(0.01)Ca_(0.99)Al_(11.98)O_(19:0.02)Mn^(4+)转光剂,利用X射线衍射和荧光光谱研究了转光剂的物相结构和发光性能。在217 nm紫外光的激发下,发出光谱主峰位在653 nm左右的深红光,正是太阳能电池吸收600~700 nm区域;加入电荷平衡剂Zn2+之后,有利于提高Zn_(0.01) Ca_(0.99)Al_(11.98)O_(19:0.02)Mn^(4+)的荧光强度。
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吕玫;
张丽;
张彦;
袁明鉴
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摘要:
量子点发光二极管(QLEDs)由于具有独特的光电特性,可应用于照明和显示行业,其外量子效率(EQEs)正迅速接近商业化要求.然而,器件的稳定性和工作寿命仍然是QLEDs商业化应用面临的关键问题.本文将影响QLEDs寿命的主要因素分为功能层材料的稳定性和电荷注入不平衡两大方面,从提高量子点、电荷传输层(CTLs)的稳定性以及促进电荷平衡等方面讨论了近年来提高QLEDs稳定性的各种策略.随着人们对QLEDs降解机制认识的加深,更稳定的量子点和QLEDs器件得以开发,但是将QLEDs器件商业化仍存在很大的挑战,比如Cd的高毒性以及蓝光QLEDs的寿命和效率远低于绿光和红光相对应的水平,此外,QLEDs在高亮度(1000 cd mr2)下的稳定性较差,这些因素均限制了QLEDs的发展.因此,应进一步加大QLEDs在光电器件领域的研发力度,克服这些技术劣势,实现QLEDs未来的商业化.
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王宛阳;
吕典;
邹志革;
闵闰;
童乔凌
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摘要:
为了提升电感电流断续模式(discontinuousconductionmode,DCM)下开关电源转换器的瞬态响应性能,提出了一种基于电荷平衡原理和平均电流的差分外推控制方法.以Boost转换器为例,该方法利用采样的输出电压进行差分外推(differential extrapolation,DE),预估负载对电荷的影响,进而通过平衡算法得到电流控制量.相较传统的使用电荷平衡原理的电流控制方法(charge balance principle based current control,CBPC),差分外推控制方法缩短了负载估计的延迟,减小了负载估计误差,为DCM转换器的控制设计提供了有效参考.通过Boost样机实验对比了CBPC控制与DE控制在输入、负载和参考电压发生扰动时的响应波形,结果表明,本文提出的DE控制对扰动的响应更加优异.
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汪金华;
夏海生;
何一蕾;
庄永河;
周晶
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摘要:
分析了造成电荷平衡式I/F转换器误差的主要因素,提出了一种基于低频三角波调制的电流复位技术,使电路在大电流和小电流输入时工作在同一个较低的开关频率上,降低了积分电路误差和开关频率误差,提高了电路非线性度。制作的电路非线性度达到20ppm以内,标度因素温度系数达到5ppm/°C,一次通电稳定性达到5ppm。
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董辉;
赵乐;
朱倩倩;
张乃丹;
李梦迪;
王亚宁;
周艳丽;
韦秀华
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摘要:
pH和终点误差计算是酸碱滴定法中重要的计算部分,但在现行的分析化学教材中,计算公式、简化过程及条件繁多,不便于学生理解及掌握.针对这一问题,本文重点讨论了采用统一的电荷平衡式和分布分数代换计算pH和终点误差.运用该方法可实现对不同溶液体系pH计算以及不同滴定体系终点误差计算,有助于提升大学生自主学习和解决问题的能力.
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陶万军;
王志功;
吕晓迎;
高玉洁
- 《2015年中国生物医学工程联合学术年会》
| 2015年
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摘要:
本论文基于肌电信号(electromyography,EMG)再生原理,通过定量分析不同脉宽比和相间距(interphase gap,IPG)刺激脉冲的影响,期望在不改变系统软硬件前提下优化功能电刺激器的性能.首先使用多触点卡肤(cuff)电极刺激损脊蟾蜍坐骨神经,获得不同脉宽比和IPG的刺激募集响应曲线.然后,通过玻尔兹曼方程拟合出最大幅度、阈值、斜率和动态范围四个募集特征值.最后,在这些特征参数综合考虑下,通过这些特征参数定量分析,确定出脉宽比为1:6的非对称双相电荷平衡脉冲和IPG=300μs为最佳的参数,为刺激器脉冲波形参数的设定提供重要的参考.
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TANG Tang;
唐棠;
LI Lei;
李磊
- 《综合电子系统技术教育部重点实验室暨四川省高密度集成器件工程技术研究中心2012学术年会》
| 2012年
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摘要:
导通电阻与击穿电压之间存在的固有矛盾(硅极限理论),极大地限制了传统功率MOSFET的进一步发展.为解决这一矛盾,从超结理论发展出来的新型SJ-MOSFET器件,能够突破硅极限,提高器件耐压的同时降低器件的导通电阻.SOI(Silicon On Insulator)因具有高速、低功耗、集成度高、寄生效应小、抗辐射能力强等优点而得以和SJ-MOSFET器件结合起来.本文以SOI SJ-LDMOS高压器件为研究对象,从常规SOI SJ-LDMOS结构出发,围绕电荷平衡效应、横向和纵向耐压理论、新器件结构等方面进行研究,提出一种电荷性SOI SJ-LDMOS高压器件新结构,并建立了相应的器件结构模型进行仿真实验.该结构耐压提高到178.2V,相对于常规SOI SJ-LDMOS器件的89.5V,击穿电压提高了99.1%.
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