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胡云峰; 李斌;
华南理工大学微电子研究所,广州,510641;
多晶硅薄膜晶体管; 泄漏电流; 热电子场致发射; 解析模型;
机译:截止应力老化的p型多晶硅薄膜晶体管的栅诱导漏极泄漏电流特性
机译:在缓冲层上使用NH_3等离子体处理减少多晶硅薄膜晶体管中的光泄漏电流
机译:多晶硅薄膜晶体管的电流建模
机译:串联连接的多晶硅薄膜晶体管中泄漏电流分布的建模
机译:通过晶粒增强技术形成的多晶硅薄膜晶体管的建模:金属诱导的横向结晶。
机译:探索具有不同有源层厚度的非晶InGaZnO薄膜晶体管的光泄漏电流和光致负偏置不稳定性
机译:具有多晶硅和多晶硅-7Ge0.3栅极材料的p +多晶硅电容器中的应力诱导泄漏电流
机译:先进显示技术中的低温多晶硅薄膜晶体管
机译:薄膜晶体管,用于通过低泄漏电流和截止电流来稳定驱动薄膜晶体管
机译:制造能够抑制渗漏电流增加的多晶硅薄膜晶体管的多晶硅层的方法
机译:薄膜晶体管,薄膜晶体管面板和制造薄膜晶体管的方法,能够通过使用欧姆接触来防止泄漏电流
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