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亚微米CMOS工艺中GG-NMOS结构ESD保护电路改进设计

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摘要

针对采用GG-NMOS结构ESD保护电路的IC芯片在实际应用中出现ESD失效现象,在不额外增加版图面积的情况下通过引入栅耦合技术对现有的ESD保护结构进行改进,并达到了预期效果.实验结果显示其性能达到了人体放电模式的2级标准(HBM:3000V),机器模式3级标准(MM:400V).

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来源
《电子器件》 |2007年第2期|423-425|共3页
作者
黄九洲; 夏炎;
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作者单位

东南大学集成电路学院,南京,210096;

南京芯力微电子有限公司,南京,210016;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类场效应器件;
关键词
ESD; GG-NMOS; 栅耦合; HBM; MM;

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