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一种应用于深亚微米CMOS工艺的ESD保护电路

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本文研究了一种基于动态栅极悬浮技术的ESD保护电路,并根据全芯片ESD防护的要求设计了试验电路.采用TSMC 0.18 μ m CMOS工艺实现了试验电路,测试显示芯片的ESD失效电压达到了7kV.

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来源
《电子与封装》 |2005年第8期|27-3122|共6页
作者
鲍剑; 王志功; 李智群;
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作者单位

东南大学射频与光电集成电路研究所,南京,210096;

东南大学射频与光电集成电路研究所,南京,210096;

东南大学射频与光电集成电路研究所,南京,210096;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类设计;
关键词
ESD; ESD保护; 动态栅极悬浮;

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