深亚微米CMOS IC抗噪声ESD保护电路的设计

陈曦; 庄奕琪; 罗宏伟; 胡净; 韩孝勇

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深亚微米CMOS IC抗噪声ESD保护电路的设计

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CMOS工艺技术缩小到深亚微米阶段,电路的静电(ESD)保护能力受到了更大的限制。因此,需要采取更加有效并且可靠的静电放电保护设计。文章提出了一种新型的ESD保护电路,以LVTSCR结构为基础,结合栅耦合技术以及抗噪声干扰技术。这种新型电路即使被意外触发也不会引起闩锁效应,提高了ESD保护电路的可靠性,实现了全芯片保护。

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来源
《微电子学》 |2003年第5期|439-442|共4页
作者
陈曦; 庄奕琪; 罗宏伟; 胡净; 韩孝勇;
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作者单位

西安电子科技大学微电子学研究所;

信息产业部电子第五研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类场效应型;
关键词
深亚微米CMOS; 噪声; ESD保护电路; 静电保护; 可靠性设计; 集成电路;

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