NMOS晶体管高剂量率下总剂量辐照特性研究

李冬梅; 王志华; 皇甫丽英; 勾秋静; 雷有华; 李国林

首页> 中文期刊> 《电子器件》 >NMOS晶体管高剂量率下总剂量辐照特性研究

NMOS晶体管高剂量率下总剂量辐照特性研究

开具论文收录证明 >>

期刊封面封底目录下载 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

采用商用标准0.6 μm体硅CMOS工艺设计了不同宽长比、不同沟道长度及不同版图结构的非加固型NMOS晶体管作为测试样品.经高剂量60Coγ射线的总剂量辐照实验,讨论其在不同栅源偏置电压下的总剂量辐照特性.研究表明NMOS总剂量效应对辐照时栅源偏置电压敏感;辐照引起阈值电压的漂移随W/L的变化不明显;沟道长度及版图结构对NMOS管辐照后的源漏极间泄漏电流的影响显著.

著录项

来源
《电子器件》 |2007年第3期|748-751|共4页
作者
李冬梅; 王志华; 皇甫丽英; 勾秋静; 雷有华; 李国林;
展开▼
作者单位

清华大学,电子工程系,北京,100084;

清华大学,微电子学研究所,北京,100084;

清华大学,电子工程系,北京,100084;

清华大学,电子工程系,北京,100084;

清华大学,电子工程系,北京,100084;

清华大学,电子工程系,北京,100084;

展开▼
原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类绝缘栅场效应器件;
关键词
NMOS晶体管; 辐照效应; 总剂量;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. 双极晶体管高温辐照的剂量率效应研究 [J] . 汪东 ,陆妩 ,任迪远 . 微电子学 . 2005,第5期
2. SOI NMOS晶体管在高剂量的X射线与^(60) Coγ射线辐射作用下的背栅阈值电压漂移饱和效应的研究及比对 [J] . 田浩 ,张正选 ,张恩霞 . 功能材料与器件学报 . 2007,第6期
3. 不同偏置对NPN双极晶体管的低剂量率电离辐照损伤的影响 [J] . 费武雄 ,兰博 ,崔江维 . 核技术 . 2010,第004期
4. 双极晶体管的高温变剂量率辐照效应 [J] . 王先明 ,刘楚湘 ,艾尔肯·斯迪克 . 核电子学与探测技术 . 2007,第006期
5. 不同剂量率下偏置对双极晶体管电离辐照效应的影响 [J] . 张华林 ,陆妩 ,任迪远 . 微电子学 . 2004,第6期
6. 不同偏置对NPN双极晶体管的低剂量率电离辐照损伤的影响 [C] . 费武雄 ,赵云 ,王志宽 . 中国核学会2009年学术年会 . 2009
7. NMOS晶体管总剂量辐照效应的电流模型研究 [A] . 黄建国 . 2015

NMOS晶体管高剂量率下总剂量辐照特性研究

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅