低静态电流CMOS电压基准源设计

李先锐; 李玉山; 来新泉

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低静态电流CMOS电压基准源设计

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为了实现低功耗,尤其是低的静态功耗,在传统的带隙基准基础上设计的低静态电流CMOS基准源,是利用CMOS晶体管工作在弱反型区饱和漏电流随电压呈指数关系的原理实现的.在保证低温度系数18.9×10-6℃和高精度的同时,实现了低的静态电流.仿真的结果显示其输出基准电压是1.109 V,工作电压3 V时,消耗功耗为1.2 μW.

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来源
《电子器件》 |2007年第3期|852-854|共3页
作者
李先锐; 李玉山; 来新泉;
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作者单位

西安电子科技大学,电路设计研究所,西安,710071;

西安电子科技大学,电路设计研究所,西安,710071;

西安电子科技大学,电路设计研究所,西安,710071;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 BICMOS（双极-MOS混合）集成电路;
关键词
集成电路; 电压基准; 亚阈值; 低功耗;

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