减少纳米MOS器件栅电流的研究分析

王伟; 孙建平; 徐丽娜; 顾宁

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减少纳米MOS器件栅电流的研究分析

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采用Schr(o)dinger-Poisson方程自洽全量子求解法研究了MOS器件不同介质材料和栅结构栅电流,该模型对栅电流中的三维电流成分用行波统一地计算;对二维栅电流成分通过反型层势阱中准束缚态的隧穿率计算.模拟得出栅极电流与实验结果符合.研究结果表明,采用高k栅介质材料、p-MOSFET或双栅结构对栅电流的减少有明显的作用,这一结果可望对器件性能作出预计并对其研制提供指导.

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来源
《电子器件》 |2006年第3期|617-619623|共4页
作者
王伟; 孙建平; 徐丽娜; 顾宁;
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作者单位

东南大学与生物电子学教育部重点实验室江苏省生物材料和器件重点实验室,南京,210096;

南京邮电大学光电工程学院,210003;

美国密西根大学电气工程和计算机科学系;

东南大学与生物电子学教育部重点实验室江苏省生物材料和器件重点实验室,南京,210096;

东南大学与生物电子学教育部重点实验室江苏省生物材料和器件重点实验室,南京,210096;

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正文语种 chi
中图分类半导体技术;
关键词
高k; 栅电流; 量子模型; MOSFET;

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