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半导体保护器件阴极短路区的设计

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摘要

为改善半导体保护器件的主要特性参数,通过对半导体保护器件基本原理的简单论述,深入研究了阴极短路结构的相关理论,分析了阴极短路区结构和工艺对半导体保护器件主要特性参数的影响,提出了优化半导体保护器件主要特性参数的一些方法.

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来源
《电子器件》 |2006年第3期|741-744|共4页
作者
鲁亚翠; 刘佑宝;
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作者单位

西安微电子技术研究所,西安,710054;

西安微电子技术研究所,西安,710054;

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正文语种 chi
中图分类半导体技术;
关键词
半导体保护器件; 阴极; 短路区;

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