栅对准误差对双栅MOSFET性能影响的分析

机译：横向杂散对非对称栅叠层双栅MOSFET的模拟/ RF性能的影响

机译：双材料双层栅堆叠SON MOSFET：增强模拟性能的新型架构—第二部分：栅介电材料工程的影响

机译：带有界面陷阱电荷的双栅和全栅栅MOSFET的退化模型，包括沟道移动载流子的影响

机译：器件参数对双栅，三栅和全栅MOSFET阈值电压的影响

机译：通过隧道外延，使用氮化的热氧化物作为栅绝缘体，开发自对准双栅MOSFET的工艺流程。

机译：单轴应变对双栅石墨烯纳米带场效应晶体管性能影响的分析模型

机译：基于新型通道材料的双栅纳米mOsFET（DG-mOsFET）性能

机译：砷化镓高性能元件试验线。 saRGIC HFET（自对准耐火栅集成电路/ Hetro-junction FET）设计手册

机译：用于MOSFET的半导体结构，具有与n型双栅晶体管的背栅的一部分和p型双栅晶体管的背栅的一部分相接触的单阱，其中栅极被相同的掺杂剂掺杂。

机译：用于包括平面双栅MOSFET的底栅的埋线互连的独立底栅连接的形成方法

机译：形成用于掩埋互连的独立底栅连接的方法，包括平面双栅MOSFET的底栅