离子液体电沉积CuInxGa1-xSe2薄膜

姬姗姗; 梅艳霞; 张锦秋; 杨培霞; 连叶; 安茂忠

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离子液体电沉积CuInxGa1-xSe2薄膜

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采用循环伏安法(CV)对离子液体Reline中三元CuCl2+InCl3+SeCl4体系和四元CuCl2+InCl3+GaCl3+SeCl4体系的电化学行为进行了研究.研究表明,In3+并入三元CIS(Cu-In-Se)薄膜体系和Ga3+并入四元CIGS(Cu-In-Ga-Se)薄膜体系均有两种途径:一是发生共沉积,二是直接还原.利用电感耦合等离子体发射光谱(ICP)和扫描电镜(SEM)对沉积电势、镀液温度和主盐浓度对CIGS薄膜组成、镀层表面形貌的影响进行了测试,结果表明通过工艺参数的选择可以控制Ga/(Ga+In)和CIGS薄膜组成并得到化学计量比为Cu1.00In0.78Ga0.27Sez13的薄膜.

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来源
《无机化学学报》 |2014年第2期|466-472|共7页
作者
姬姗姗; 梅艳霞; 张锦秋; 杨培霞; 连叶; 安茂忠;
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作者单位

城市水资源与水环境国家重点实验室,哈尔滨工业大学化工学院,哈尔滨 150001;

城市水资源与水环境国家重点实验室,哈尔滨工业大学化工学院,哈尔滨 150001;

城市水资源与水环境国家重点实验室,哈尔滨工业大学化工学院,哈尔滨 150001;

城市水资源与水环境国家重点实验室,哈尔滨工业大学化工学院,哈尔滨 150001;

城市水资源与水环境国家重点实验室,哈尔滨工业大学化工学院,哈尔滨 150001;

城市水资源与水环境国家重点实验室,哈尔滨工业大学化工学院,哈尔滨 150001;

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正文语种 chi
中图分类薄膜太阳能电池;铜Cu;铟In;镓Ga;
关键词
离子液体; 电化学行为; 电沉积; CIGS薄膜;

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