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热处理对SILAR法制备CulnSe2薄膜性能的影响

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@@ 0引言rn 铜铟硒(CIS)具有合适的带隙、高光吸收系数、适当的电荷密度和迁移率,是一种用于薄膜太阳能电池的备受关注的吸收材料[1].目前CuInSe2薄膜已采用多种方法进行制备,如金属前驱体硒化法[2]、共沉积法[3]、溅射法[4]、电沉积法[5]和化学气相沉积法[6]等.

著录项

来源
《无机化学学报》 |2005年第11期|1701-1704|共4页
作者
杨建立; 靳正国; 石勇; 李春艳; 安贺松;
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作者单位

天津大学先进陶瓷与加工技术教育部重点实验室,天津,300072;

天津大学先进陶瓷与加工技术教育部重点实验室,天津,300072;

天津大学先进陶瓷与加工技术教育部重点实验室,天津,300072;

天津大学先进陶瓷与加工技术教育部重点实验室,天津,300072;

天津大学先进陶瓷与加工技术教育部重点实验室,天津,300072;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 O614.242;
关键词
CuInSe2薄膜; SILAR法; 煅烧温度; 光学性能;

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