耦合GaN/AlxGa1-xN量子点的非线性光学性质

危书义; 杨艳岭; 夏从新; 吴花蕊; 赵旭

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耦合GaN/AlxGa1-xN量子点的非线性光学性质

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在有效质量和偶极矩近似下,考虑了由于压电极化和自发极化所引起的内建电场和量子点的三维约束效应,对纤锌矿对称AlxGa1-xN/GaN/AlxGa1-xN/GaN/AlxGa1-xN圆柱型应变耦合量子点中激子非线性光学性质进行了研究.计算结果表明,内建电场使吸收光谱向低能方向移动,发生红移现象,并且使吸收峰强度大大减小.量子限制效应使光吸收峰强度随着量子点尺寸的减小而增强,并且随着量子点尺寸的减小,吸收光谱发生蓝移现象.

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来源
《液晶与显示》 |2007年第3期|240-244|共5页
作者
危书义; 杨艳岭; 夏从新; 吴花蕊; 赵旭;
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作者单位

河南师范大学物理与信息工程学院,河南新乡453007;

河南师范大学物理与信息工程学院,河南新乡453007;

河南师范大学物理与信息工程学院,河南新乡453007;

河南师范大学物理与信息工程学院,河南新乡453007;

河南师范大学物理与信息工程学院,河南新乡453007;

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正文语种 chi
中图分类极化与激子理论;
关键词
耦合量子点; 激子; 内建电场; 光吸收系数;

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