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【2h】

Improvement of breakdown characteristics in AlGaN/GaN/AlxGa1−xN HEMT based on a grading AlxGa1−xN buffer layer

机译：基于AlxGA1-XN缓冲层的AlGaN / GaN / AlxGa1-XN Hemt击穿特性的改善

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To improve the breakdown characteristics of an AlGaN/GaN based high electron mobility transistor (HEMT) for high voltage applications, AlGaN/GaN/Al xGa 1-xN double heterostructure (DH-HEMTs) were designed and fabricated by replacing the semi-insulating GaN buffer with content graded Al xGa 1-xN (x=x 1 → x 2, x 1 x 2), in turn linearly lowering the Al content x from x 1=90% to x 2=5% toward the front side GaN channel on a high temperature AlN buffer layer. The use of a highly resistive Al xGa 1-xN epilayer suppresses the parasitic conduction in the GaN buffer, and the band edge discontinuity limits the channel electrons spillover, thereby reducing leakage current and drain current collapse. In comparison with the conventional HEMT that use a semi-insulating GaN buffer, the fabricated DH-HEMT device with the same size presents a remarkable enhancement of the breakdown voltage. © 2010 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.
机译：为了改善基于AlGaN / GaN的高电子迁移率晶体管（HEMT）的高压应用的击穿特性，通过更换半绝缘GaN设计和制造AlGaN / GaN / Al XGA 1-XN双异质结构（DH-HEMT）含有含量分级的缓冲器Al XGA 1-xn（x = x 1→x 2，x 1> x 2），沿x 1 = 90％到x 2 = 5％朝向前侧GaN线性地降低高温AlN缓冲层的通道。使用高阻的AL XGA 1-XN脱垂剂抑制了GaN缓冲器中的寄生传导，并且带边缘不连续限制了通道电子溢出，从而减少了漏电流和漏极电流塌陷。与使用半绝缘GaN缓冲器的传统HEMT相比，具有相同尺寸的制造的DH-HEMT装置具有显着的击穿电压的增强。 ©2010 Wiley-VCH Verlag GmbH＆Co.Kgaa，Weinheim。

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