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雷达; 曾乐勇; 夏玉学; 陈松; 梁静秋; 王维彪;
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室,吉林长春130033;
中国科学院研究生院,北京100039;
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所应用光学国家重点实验室,吉林长春130033;
场发射; 冷阴极器件; 静电场理论; 纳米线;
机译:紫外线和应变对单根ZnO微纳米线表面电势分布的耦合影响
机译:由表面声波(SAW / SED)器件驱动的单电子传输中的栅极滞后
机译:通过低频噪声研究在SOIΩ栅极纳米线NMOS FET中评估技术和几何器件参数
机译:介电电泳技术制备单根ZnO纳米线器件的接触特性和表面反应动力学
机译:研究常关模式的AlGaN / GaN MOS HEMT器件,该器件利用栅极后退和p-GaN栅极结构以及带有醛生长的高k栅极绝缘体来实现高功率应用。
机译:基于Ω型栅极有机铁电P(VDF-TrFE)场效应晶体管的低可编程电压非易失性存储器件使用p型硅纳米线通道
机译:利用电光探测技术研究GaAs材料和器件中的电场分布
机译:单CNF / TiO2染料核壳纳米线器件光电导率的研究。
机译:一种具有对电场的屏蔽性能的复合纤维织物,该复合纤维织物对由常规纺织纤维的单根或电缆构成的电场产生干扰,并根据矩形图案与单根或电缆编织在一起,至少部分与碳丝混合
机译:形成具有纳米线栅极结构的3D半导体器件的方法,其中在源极/漏极形成之后形成纳米线栅极结构
机译:形成具有纳米线栅极结构的3-D半导体器件的方法,其中在源极/漏极形成之前形成纳米线栅极结构
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