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基于热电场发射理论的单根GaAs纳米线I-V特性分析

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针对分子束外延生长单根砷化镓纳米线电性测量表明,非掺杂与掺杂型单根GaAs纳米线的特性具有四种不同的线性:近线性、近对称型,不对称以及完全整流.为了对以上几种特性曲线进行定量分析,建立了单根GaAs纳米线的金属-半导体-金属模型来对实验结果进行拟合.通过该理论模型,我们得到了GaAs纳米线中本征的电学信息如掺杂浓度、载流子迁移率以及电极接触势垒高度.

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来源
《第十届全国分子束外延学术会议》|2013年|74-75|共2页
会议地点上海
作者
李新化; 文龙; 赵玉峰; 王文博; 王玉琦;
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作者单位

中国电子学会;

中国有色金属学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN304.2:TN304.054.41;
关键词
半导体材料; 砷化镓纳米线; 分子束外延生长; 热电场发射理论;

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