势垒硅掺杂对GaN基LED极化电场及其光电性能的影响

张正宜; 王超

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势垒硅掺杂对InGaN量子阱中的电场及LED器件的光电性能有着重要的影响.采用6×6 K·P方法计算了不同势垒硅掺杂浓度对量子阱中电场的变化,研究表明当势垒硅掺杂浓度>1e18 cm-3时,阱垒界面处的电场强度会变大,这主要是由于硅掺杂浓度过高导致量子阱中界面电荷的聚集.进一步发现随着势垒掺杂浓度的升高,总非辐射复合随之增加,其中俄歇复合增加,而肖克莱-霍尔-里德复合随之减少,这是由于点陷阱的增大形成了缺陷能级.电流电压曲线表明势垒掺杂可有效改善GaN基LED的工作电压,这归于掺杂浓度的提高改善了载流子的传输特性.当掺杂浓度为1e18 cm-3时,获得了较高的内量子效率,这主要是由于适当的势垒掺杂降低了量子阱中界面电荷的损耗.

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来源
《发光学报》 |2018年第10期|1445-1450|共6页
作者
张正宜; 王超;
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作者单位

山西交通职业技术学院信息工程系, 山西太原 030031;

兰州交通大学光电技术与智能控制教育部重点实验室,甘肃兰州 730070;

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正文语种 chi
中图分类 TN321.8;
关键词
势垒; 量子阱; 极化电场; 光电性能;

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