半导体器件总剂量辐射效应的热力学影响

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• 来源
  《发光学报》 |2014年第4期|465-469|共5页
• 作者

  丛忠超; 余学峰; 崔江维; 郑齐文; 郭旗; 孙静; 周航;

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• 作者单位

  中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室新疆理化技术研究所,新疆乌鲁木齐830011;

  新疆电子信息材料与器件重点实验室,新疆乌鲁木齐830011;

  中国科学院大学,北京100049;

  中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室新疆理化技术研究所,新疆乌鲁木齐830011;

  新疆电子信息材料与器件重点实验室,新疆乌鲁木齐830011;

  中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室新疆理化技术研究所,新疆乌鲁木齐830011;

  新疆电子信息材料与器件重点实验室,新疆乌鲁木齐830011;

  中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室新疆理化技术研究所,新疆乌鲁木齐830011;

  新疆电子信息材料与器件重点实验室,新疆乌鲁木齐830011;

  中国科学院大学,北京100049;

  中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室新疆理化技术研究所,新疆乌鲁木齐830011;

  新疆电子信息材料与器件重点实验室,新疆乌鲁木齐830011;

  中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室新疆理化技术研究所,新疆乌鲁木齐830011;

  新疆电子信息材料与器件重点实验室,新疆乌鲁木齐830011;

  中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室新疆理化技术研究所,新疆乌鲁木齐830011;

  新疆电子信息材料与器件重点实验室,新疆乌鲁木齐830011;

  中国科学院大学,北京100049;

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• 原文格式 PDF
• 正文语种 chi
• 中图分类 金属-氧化物-半导体（MOS）器件;
• 关键词

  总剂量辐射效应; MOS晶体管; 三极管; 不同温度辐照;