利用MOCVD技术生长As掺杂的p-ZnMgO薄膜

赵龙; 杜国同; 殷伟; 夏晓川; 王辉; 史志锋; 赵旺; 王瑾; 董鑫; 张宝林

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利用MOCVD技术生长As掺杂的p-ZnMgO薄膜

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By introducing the GaAs interlayer and controling growth temperature, the p-type ZnMgO films were grown on (0001) Al2O3 substrates by metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) method. The X-ray diffraction results indicated that the ZnMgO films showed c-axis preferential orientation at temperature of 440 ~ 520 ℃. A conversion of conduction type was confirmed by Hall effect measurement in a range of temperature from 480 to 520 ℃. The lowest resistivity was 26. 33 Ω·cm, with a carrier concentration of 1. 638 × 10 17 cm-3 , and a hall mobility of 1.45 cm2 /(V · s). The room temperature photoluminescence (PL) spectrum displayed all the p-type ZnMgO films showed good optical qualities, with a big ratio of near band emission (NBE) to deep level emission (DLE).u000038%利用GaAs夹层掺杂的新方法,采用金属有机化学气相沉积(MOVCD)技术,通过控制生长温度,在蓝宝石衬底上成功制备出As掺杂的p型ZnMgO薄膜.利用X射线衍射分析(XRD)、霍尔效应测试和光致发光(PL)谱等表征方法对薄膜的晶体结构、电学性能和光学特性进行分析.结果表明:高温生长的ZnMgO薄膜具有良好的c轴取向性；480～ 520℃时所制备的ZnMgO薄膜为p型导电,500℃时所制备的样品电阻率最低,为26.33 Ω·cm,空穴浓度达1.638×1017 cm-3,迁移率为1.45 cm2/(V·s)；室温PL谱显示,制得的p型ZnMgO薄膜具有较大的紫外与可见发光峰强度比,表明其具有良好的光学性能.

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来源
《发光学报》 |2011年第10期|1020-1023|共4页
作者
赵龙; 杜国同; 殷伟; 夏晓川; 王辉; 史志锋; 赵旺; 王瑾; 董鑫; 张宝林;
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作者单位

集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学电子科学与工程学院,吉林长春 130012;

集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学电子科学与工程学院,吉林长春 130012;

大连理工大学物理与光电工程学院,辽宁大连 116024;

集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学电子科学与工程学院,吉林长春 130012;

大连理工大学物理与光电工程学院,辽宁大连 116024;

集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学电子科学与工程学院,吉林长春 130012;

集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学电子科学与工程学院,吉林长春 130012;

集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学电子科学与工程学院,吉林长春 130012;

集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学电子科学与工程学院,吉林长春 130012;

集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学电子科学与工程学院,吉林长春 130012;

集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学电子科学与工程学院,吉林长春 130012;

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正文语种 chi
中图分类化合物半导体;
关键词
ZnMgO薄膜; p型掺杂; MOCVD;

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