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李宁; 陈金菊; 邓宏;
电子科技大学,电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川,成都,610054;
化学气相沉积; 缓冲层; ZnO薄膜;
机译:缓冲层对聚酰亚胺衬底上柔性InGaZnO薄膜晶体管性能和稳定性的影响
机译:ZnO缓冲层对射频磁控溅射在PET衬底上掺杂Ga的ZnO薄膜中光电性能的影响
机译:负偏压对聚酰亚胺衬底上具有各种缓冲层的非晶InGaZnO薄膜晶体管的影响
机译:V,N共掺杂ZnO缓冲层引入对c面蓝宝石衬底上ZnO薄膜生长的影响
机译:氮化镓/蓝宝石界面和蓝宝石衬底上缓冲层的TEM表征通过MOCVD。
机译:用HVPE使用组合缓冲层在蓝宝石上制造2英寸独立的GaN衬底
机译:通过反应溅射GaAs靶在石英衬底上的ZnO缓冲层上生长的高取向GaN膜
机译:载流子注入到mEsFET衬底中的影响:mEsFET在半绝缘缓冲器,p衬底上的mEsFET和无衬底mEsFET上的比较
机译:集成电路装置包括具有安全区的集成电路衬底,在衬底上形成的窗口层,在衬底和窗口层之间形成的缓冲图案以及安全图案
机译:诸如只读存储器之类的非易失性存储器件的制造包括在半导体衬底上顺序形成栅极氧化物层,用于第一控制栅极的多晶硅层,缓冲氧化物层和缓冲氮化物层。
机译:半导体存储器件衬底中导电层及其有源区的制造涉及在沟槽形成之前在浮栅的第一段上形成缓冲层并去除该缓冲层。
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