无杂质空位扩散法造成InGaAsP/InP多量子阱结构带隙蓝移规律的研究

张晓丹; 赵杰; 王永晨; 金鹏

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采用光荧光谱(PL)和光调制反射谱(PR)的方法,研究了由Si3N4、SiO2电介质盖层引起的无杂质空位(IFVD)诱导的InGaAsP四元化合物半导体多量子阱(MQws)结构的带隙蓝移.实验中Si3N4、SiO2作为电介质盖层,用来产生空位,再经过快速热退火处理(RTA).实验结果表明:多量子阱结构带隙蓝移和退火温度、复合盖层的组合有关.带隙蓝移随退火温度的升高而加大.InP、Si3N4复合盖层产生的带隙蓝移量大于InP、SiO2复合盖层.而InGaAs、SiO2复合盖层产生的带隙蓝移量则大于InGaAs、Si3N4复合盖层.同时,光调制反射谱的测试结果与光荧光测试的结果基本一致,因此,PR谱是用于测试带隙变化的另一种方法.

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来源
《发光学报》 |2002年第2期|119-123|共5页
作者
张晓丹; 赵杰; 王永晨; 金鹏;
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作者单位

天津师范大学物理与电子信息学院,天津300074;

天津师范大学物理与电子信息学院,天津300074;

天津师范大学物理与电子信息学院,天津300074;

南开大学物理系,天津300074;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 O472.3;
关键词
无杂质空位诱导无序; 光荧光谱; 光调制反射谱;

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