退火温度对新型有源层WZTO薄膜晶体管性能的影响

YANG Xiang; XU Bing; ZHOU Chang; ZHANG Jian-hua; LI Xi-feng

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通过溶液法制备了新型有源层钨锌锡氧化物(WZTO)薄膜晶体管(TFT),研究了不同退火温度对WZ-TO薄膜和TFT器件性能的影响.XRD结果表明即使退火温度达到500℃,WZTO薄膜仍为非晶态结构.W掺杂显著降低了薄膜表面粗糙度,其粗糙度均从0.9 nm降低到0.5 nm以下;但不影响薄膜可见光透过率,其透过率均大于85％.同时XPS分析证实随退火温度升高,WZTO薄膜中对应氧空位的峰增加.制备的WZTO器件阈值电压由8.04 V降至3.48 V,载流子迁移率随着退火温度的升高而增大,开关电流比达到107.

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来源
《发光学报》 |2019年第2期|209-214|共6页
作者
YANG Xiang; XU Bing; ZHOU Chang; ZHANG Jian-hua; LI Xi-feng;
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作者单位

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正文语种 chi
中图分类 TN321.5;
关键词
退火温度; 溶液法; 薄膜晶体管; WSnZnO;

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