具有高光开关比和高响应度的单根In_(2)O_(3)纳米线紫外光电晶体管

陈雪; 魏志鹏

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In_(2)O_(3)纳米线由于其独特性质而成为紫外光电探测器的潜力候选者,目前,In_(2)O_(3)纳米线基紫外光电探测器已被广泛研究,但较大的暗电流限制了其进一步应用。本文制备了In_(2)O_(3)纳米线紫外光电晶体管,通过背栅电压的调制作用,器件中的暗电流几乎被全部耗尽,同时,由于光照下的阈值偏移,栅压对光电流的影响较小。最终得到具有高光开关比(1.07×108)和高响应度(5.58×107 A/W)的单根In_(2)O_(3)纳米线紫外光电晶体管,性能明显优于之前报道的In_(2)O_(3)纳米结构光电探测器。本工作促进了In_(2)O_(3)纳米线在下一代纳米光电子器件和集成电路中的应用。

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来源
《发光学报》 |2021年第2期|P.208-214|共7页
作者
陈雪; 魏志鹏;
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作者单位

长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室吉林长春130022;

长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室吉林长春130022;

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正文语种 chi
中图分类 O472.8;
关键词
In_(2)O_(3)纳米线; 紫外; 光电晶体管; 响应度;

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