响应度
响应度的相关文献在1980年到2022年内共计326篇,主要集中在无线电电子学、电信技术、物理学、自动化技术、计算机技术
等领域,其中期刊论文166篇、会议论文15篇、专利文献171572篇;相关期刊110种,包括长春理工大学学报(自然科学版)、计量技术、计量学报等;
相关会议15种,包括中国康复医学会第九届全国康复治疗学术年会、2012年中国国际广播电视信息网络展览会CCBN2012、2011年中国工程热物理学会传热传质学学术会议等;响应度的相关文献由962位作者贡献,包括李燕、吴刚、毛陆虹等。
响应度—发文量
专利文献>
论文:171572篇
占比:99.89%
总计:171753篇
响应度
-研究学者
- 李燕
- 吴刚
- 毛陆虹
- 江若琏
- 汪茫
- 陈红征
- 陈雪
- 占春连
- 卢飞
- 张荣
- 沈波
- 邓玉强
- 郑小兵
- 陈鹏
- 林延东
- 范纪红
- 袁祥辉
- 郑有炓
- 任建伟
- 何清义
- 史学舜
- 周建军
- 庞伟伟
- 张伟
- 张爽
- 方波
- 李健军
- 李正琪
- 李雪
- 樊其明
- 潘建根
- 王民生
- 王磊
- 章乐
- 蔡晋辉
- 谢生
- 邓宁
- 陈培毅
- 魏志鹏
- 魏榕山
- 于军胜
- 于靖
- 俞兵
- 刘洪兴
- 刘理天
- 刘静
- 吕果林
- 周跃
- 唐政维
- 宋维涛
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武叶霖奕
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摘要:
2021年,全球经济在后疫情时代面对了病毒变异、以疫情为主要诱因引发的能源危机和通胀以及各国货币政策与经济复苏情况博弈下的政策变化等诸多挑战,大宗商品价格在此影响下,走势也非坦途,尤其下半年之后陷入了矛盾之中、方向缺失。作为一个金融属性极强的品种,铜价对宏观层面变化的响应度是极高的。
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高悍津;
高晓红;
王森;
孙玉轩;
杨晨;
张子博
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摘要:
本实验中,在室温下采用磁控溅射方法在SiO_(2)衬底上沉积了GaZnO薄膜,研究Ga元素的少量掺杂对薄膜表面形貌以及器件光电性能的影响,并且制备了底栅型结构的薄膜晶体管。实验结果表明,在可见光区域,GaZnO薄膜的透过率达到了90%以上,在入射波长为365 nm的光照下其响应时间较快,达到了5.2 s,响应度达到了18.75 A/W,灵敏度在10^(0)~10^(3)之间。
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杨博;
余新媛;
K. P.Homewood;
雷丙龙;
高云
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摘要:
三元硫卤化物BiSI具有光电导率高、光吸收系数高(105 cm−1)和带隙宽度(1.57 eV)合适等优点,在光电领域得到了广泛的应用。目前BiSI晶体和薄膜的常见制备方法中存在工序复杂、合成温度高、反应时间长和易引入BiOI杂相的缺点,在光电探测器方面的应用鲜有报道。本工作提出一种温和简便的方法——先采用气相法沉积BiI3薄膜,再经H2S气氛处理获得BiSI纳米线薄膜。将该薄膜组装成器件应用于光电探测,发现器件在300~800 nm的波段内均具有响应,尤其在紫外光(370 nm)照射下,器件的响应度和探测率可达到最高,分别为6.30 A/W和7.78 ×1011 Jones。本工作不仅证明了该方法的可行性,也为BiSI薄膜在紫外光电探测器领域的应用提供了参考。
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方飞超;
王頔;
魏智;
金光勇;
张艳鹏
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摘要:
通过设计合理的实验方案,对1064 nm连续激光辐照硅基APD探测器后电学性能的变化规律进行了实验研究,在实验中,对硅基APD探测器被激光辐照前后的暗电流和响应度进行了监测。研究发现:随着激光功率密度的增加,硅基APD探测器的实际响应度逐渐减小,但硅基APD探测器的测量响应度逐渐变大,并且和暗电流增大的趋势十分相近,因此,可认为随着激光功率密度的增加,在测试输出电流中暗电流作用逐渐大于光电流作用,即硅基APD探测器的暗电流升高是造成其测量响应度增大的主要原因,并且对此现象给出了合理解释。
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陈雪;
魏志鹏
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摘要:
In_(2)O_(3)纳米线由于其独特性质而成为紫外光电探测器的潜力候选者,目前,In_(2)O_(3)纳米线基紫外光电探测器已被广泛研究,但较大的暗电流限制了其进一步应用。本文制备了In_(2)O_(3)纳米线紫外光电晶体管,通过背栅电压的调制作用,器件中的暗电流几乎被全部耗尽,同时,由于光照下的阈值偏移,栅压对光电流的影响较小。最终得到具有高光开关比(1.07×108)和高响应度(5.58×107 A/W)的单根In_(2)O_(3)纳米线紫外光电晶体管,性能明显优于之前报道的In_(2)O_(3)纳米结构光电探测器。本工作促进了In_(2)O_(3)纳米线在下一代纳米光电子器件和集成电路中的应用。
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黄烈云;
程顺昌;
刘钟远;
向荣珍;
龙雨霞;
任利平
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摘要:
详细介绍了器件结构设计和制作工艺,描述了采用低能离子注入、高温快速热处理等工艺技术,研制出高性能硅基紫外增强型PIN光电二极管。对器件暗电流和光谱特性等进行了测试分析。实验结果表明,探测器暗电流小于1.0nA(V_(R)=100V),响应度达到0.13A/W(λ=250nm),响应时间约5.5ns(V_(R)=15V),量子效率在波长220~360nm范围内达到50%~70%。
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史晓凤;
庞雪;
朱丽君;
张新宇;
张媛;
韩波;
李佩君;
郭博;
程翔
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摘要:
提出一种基于BCD工艺用于检测微弱光信号的单光子雪崩光电二极管(SPAD)及前端淬灭-复位电路(QRC).为减小边缘击穿的风险,提高响应度,设计了一种圆形P+/Nwell/Deep Nwell结构SPAD,Deep Nwell和衬底之间形成的pn结,能够有效减少p衬底流向雪崩区的暗电流,降低暗计数率,也保证了较小的纵向渡越时间,提高了响应速度.同时设计了P阱保护环,增大了器件的击穿电压.采用silvaco对器件进行二维仿真,与传统的P+/Nwel1结构以及P+/Nwell/BNwell结构进行了比较,验证了设计结构在击穿电压、响应度方面的优越性.为实现光电探测器与集成电路的协同设计,改进了APD光电器件的等效电路模型并在此基础上设计了主动淬灭复位电路,死时间约为2.6ns,能够达到快速探测的目的.测试结果表明,P+/Nwell/DNwell结构的雪崩击穿电压为15.8V,在过电压为0.2V时,650 nm光照射下,响应度约为0.80 A/W,暗计数率为20 kHz.
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陈雪;
魏志鹏
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摘要:
In2 O3纳米线由于其独特性质而成为紫外光电探测器的潜力候选者,目前,In2 O3纳米线基紫外光电探测器已被广泛研究,但较大的暗电流限制了其进一步应用.本文制备了In2 O3纳米线紫外光电晶体管,通过背栅电压的调制作用,器件中的暗电流几乎被全部耗尽,同时,由于光照下的阈值偏移,栅压对光电流的影响较小.最终得到具有高光开关比(1.07×108)和高响应度(5.58×107 A/W)的单根In2 O3纳米线紫外光电晶体管,性能明显优于之前报道的In2 O3纳米结构光电探测器.本工作促进了In2 O3纳米线在下一代纳米光电子器件和集成电路中的应用.
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傅春;
罗勇;
裴伍涵;
邓俊鹏;
王乐志
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摘要:
为了探究城镇化发展与水资源利用的内在响应机制及响应程度,以便优化配置水资源,协调城镇发展速度与水资源开发利用程度。以水资源时空分布为基石,构建响应度模型,由熵权法确定权重,相关分析法分析城镇化与水资源利用的相关关系。结果表明:鄱阳湖流域城镇化发展水平和水资源利用程度同步增长。城镇化系统中社会、人口和空间城镇化的上升趋势较为同步,经济起伏较大,前期有衰退迹象,但从2016年开始呈现出增强趋势。鄱阳湖流域属于典型湿润区资源禀赋受降雨影响较大,赋存不稳定,再加上城镇化的快速发展,水资源系统负荷不断加载。城镇化的发展对城镇水资源的开发利用程度有极大的依赖效应。城镇化对水资源系统有两面效应,一方面城镇化进程中需要消耗大量的水资源,另一方面城镇化的发展客观上促进了水资源系统。
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危昔均;
汤启宇;
燕铁斌;
胡晓翎
- 《中国康复医学会第九届全国康复治疗学术年会》
| 2012年
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摘要:
目的:评价Fugl-Meyer运动功能评分上肢部分(Fugl-Meyer Assessment-Upper Exu-emity,FMA-UE)、运动功能状态量表(Motor Status Scale,MSS)、上肢运动研究量表(Action Research Arm Test,ARAT)在重复测量参与上肢机器人实验的慢性期卒中患者上肢功能表现方面的响应度.rn 方法:符合要求的27名慢性期卒中患者(年龄:51±10.81,发病时间:4.92±0.45,男:女=20:7)被随机分到实验组(15名)进行PolyJbot上肢机器训练或者对照组(12名)进行Cybex上肢机器人训练.被设盲的评估者对参与实验的患者分别在实验前进行两次,实验后进行一次身体结构功能及活动功能评估.主要使用的评估量表有FMA-UE、MSS、ARAT、肘关节和腕关节屈肌张力(Modified Ashworth Scale,MAS)、功能独立性评定(Functional Independent Measure,FIM).采用重复测量方差分析(Repeated Measures ANOVA)检验治疗前后的治疗效果,Guyyatt's响应度指数(Guyyatt's Responsiveness Index,GRI)测量各评估量表的响应度.rn 结果:重复测量方差分析显示实验组患者的FMA-UE、FMA-UE(SE)、FMA-UE(WH)、MSS、MSS(WH)、MAS(E)、MAS (W)在治疗后取得显著的进步,对照组除MSS和MAS (W)外,其它评估量表均未发现显著进步.Guyyatt's响应度指数显示治疗组患者的FMA-UE、FMAUE (SE)、MSS的响应度明显大于其它量表,对照组患者的FMA-UE (SE)、MSS、MAS (W)显示较大的响应度.rn 结论:FMA-UE和MSS在重复测试的上肢机器人相关试验中显示出较高的响应度,可以作为此类实验及临床实践过程中评估卒中患者运动功能表现的首先评价工具.
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归强;
裴为华;
陈弘达
- 《第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》
| 2008年
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摘要:
本文报道了一种适用于0.6μm~1.65μm波段使用的InGaAs/InP光电探测器。该探测器使用的是外延在InP衬底上的InGaAs材料,探测器结构采用PIN结构通过选择性扩散的方法制作,通过调整掩模尺寸和控制扩散条件,可以制备出具有不同光敏面尺寸及光电特件的探测器。封装后光电探测器在0.6μm~1.0μm波段的响应度大于0.2A/W。其中,在1.0μm到1.65μm波段的响应度超过0.8A/W。5V偏压下的暗电流小于2nA。经过老化测试实验,探测器的寿命可以超过10万个小时,器件的可靠性和稳定性已经达到商用标准。由于出色的工艺稳定性和器件性能的一致性,该探测器可做成适用于多通道甚短距离光传输用的探测器阵列。
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- 《中国土壤学会第十一届全国会员代表大会暨第七届海峡两岸土壤肥料学术交流研讨会》
| 2008年
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摘要:
在两种施铁水平下,对12个玉米杂交种进行产量、生物量、铁累积量、铁效率和铁响应度进行分析.结果表明,不同玉米杂交种之间、杂交种与铁处理互作之间的玉米产量、生物量和铁累积量均呈极显著差异;天塔5号、天塔2号和津甜1号对铁素的响应度较高;玉米杂交种以铁效率和施铁量为基础表现出,天塔2号、天塔8号为低铁高效和高铁高效的双高效型,天塔9号属于低铁高效型,津甜1号和津糯1号属于低铁低效和高铁低效的双低型.
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李珂;
刘娟
- 《四川省电子学会半导体与集成技术专委会第二届学术年会》
| 2007年
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摘要:
本文在原有双极工艺的基础上设计了一种可集成的硅基光电探测器.对所提出的探测器进行理论分析,建立了可与双极工艺兼容的工艺制程。借助仿真器,分析表明:未添加增透膜,器件光敏面面积为800×1000μm2,在波长850nm的光照情况下,光电探测器的响应度为0.36A/W,-3dB带宽为50MHz.
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白翔;
王建军;
高昕
- 《二〇〇六年全国光电技术学术交流会》
| 2006年
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摘要:
本文设计了一台简易双波段(1.315±0.020μm,3.6~4.2μm)光谱辐射计(以下简称辐射计)来替代全辐射计,并对该台辐射计的光谱辐亮度标定方法进行了探讨.该辐射计包括前置光学系统、精密机械调制器、准直镜、平面摆动反射镜、双路单元探测器(InGaAs探测器和PbSe探测器)和锁相放大器以及A/D和单片机等.标定方法:在1.315μm波段,用标准辐射计和积分球光源,对辐射计进行标定;在3.6~4.2μm波段,用大面积标准黑体辐射源、腔型黑体辐射源,标定辐射计的光谱辐亮度.通过实验数据统计的方法建立探测器数码输出DN值与对应的辐射计的光谱辐射亮度B的关系,得到辐射计的光谱辐射亮度响应度R.