器件性能

摘要： 据报道,中国科学技术大学中国科学院微观磁共振重点实验室杜江峰院士、樊逢佳教授等人与其他科研人员合作,在量子点合成过程中引入晶格应力,调控量子点的能级结构,获得了具有强发光方向性的量子点材料,此材料应用在量子点发光二极管(QLED)中有望大幅度地提升器件的发光效率。这一研究成果新近发表在《科学进展》杂志上。外量子效率(EQE)是QLED器件性能的一个重要评价指标,因此一直是国内外相关研究关注的重点。

摘要： 电子辐照激发的二次电子发射现象是各类倍增管、表面微分析设备等的核心原理,其引发的二次电子倍增效应亦是制约加速器、微波源以及航天器等性能和可靠性的重要影响因素。随着我国航天事业的迅猛发展,对航天领域的器件也提出了小型化、高可靠、长寿命等方面的要求,精确模拟以及调控材料表面的二次电子发射成为提高这些器件性能的重要手段。

摘要： 华中农业大学理学院教授谭佐军带领的智能感知与信息处理团队与瑞典林雪平大学教授高峰团队合作,针对铯银铋溴材料的结构和性质进行研究,探讨了材料最新应用进展与未来发展挑战。铯银铋溴(Cs2AgBiBr6)是在传统铅基钙钛矿之后研发的新型无铅双钙钛矿半导体材料,具有稳定性高、环境友好、光电特性优异等优点,已在太阳能电池、光探测器、X射线探测器、催化和铁电/磁性等领域内取得了广泛应用。

摘要： “摩尔定律”是集成电路行业所遵循的规律,是指价格不变时,集成电路上可容纳的晶体管数目,每隔18-24个月便会增加一倍,器件性能亦提升一倍。然而,近年来,诸多数据统计显示,晶体管数目增加逐步放缓,半导体行业更新迭代速度减慢。随着工艺节点演进,摩尔定律越来越难以持续,集成电路产业已进入“后摩尔时代”,要坚持产业导向,合作共赢。

摘要： 制造技术的不断迭代发展带来了器件性能的飞跃,也推动着人类技术的进步.伴随着器件特征尺寸的不断缩小,制造技术先后经历了宏观制造、介观制造、微观制造和纳米制造等多个阶段,当前最具代表性的半导体工艺,已经从微米尺度走到最前沿的3 nm左右,并进一步向更小的尺度迈进.因此,制造技术进入到原子尺度已不再是遥不可及的梦想,而成为现在科技界研究前沿的现实对象.

摘要： 近年来,家用电器、工业电源、汽车电子、5G基站电源等终端厂商频频要求上游磁性元器件厂商降低产品损耗,提高器件性能,同时可以更快响应下游研发需求,磁芯作为磁性元器件核心材料,自然成为上游研发攻坚环节。江西耀润磁电科技有限公司(下称“江西耀润”)在国内有着20年磁芯研发生产历程。

摘要： 末端基团的氟化能显著改善有机受体材料的光电性能并已实现了广泛的应用。相比之下,氯化策略被关注得较少且对有机光伏电池的影响仍不明确。这里,我们报道了一个以苯并三唑为缺电子核及2Cl-IC为末端基团的新型非富勒烯受体Y19。Y19表现了优异的光学及电化学性质。Y19的薄膜吸收边带为948 nm,LUMO能级水平为−3.95 eV。基于PM6:Y19的光伏器件实现了12.76%的能量转换效率,其开路电压为0.84 V,短路电流密度为22.38 mA/cm2,填充因子为0.68。优化后的活性层有理想的形貌并且电子迁移率达到6.52×10−4 cm2/(V·s)。EQE测试表明外部量子效率在480~860 nm的范围内超过了60%。这一研究表明氯化作为一种低成本的分子设计策略在一定程度上也能改善光伏性能。

摘要： 绝缘栅双极晶体管(IGBT)的内部载流子控制方法对器件的导通状态电压降、关断损耗、SOA、热可靠性和瞬态稳定性等器件性能至关重要.已经报道的许多载流子控制方法都侧重于发射极(或阴极)、集电极(或阳极)和漂移区的设计.重点介绍了当前和未来几代IGBT的载流子控制方法.回顾发射极、集电极和漂移区的设计如何影响正向压降和关断能量损耗之间的权衡.最后,总结展望未来大功率IGBT器件内部载流子控制方法的发展趋势.

摘要： 过去的几十年里,无线电技术标准、相关应用和互联设备得到了爆炸式的发展,对数据带宽和吞吐量的要求越来越高。据统计,45亿因特网用户和迅速发展的物联网(IoT)变革对器件性能要求的年增长速度超过25%1,这是一个巨大的挑战。当今,随着在家办公日益普及,地面和空间通讯的关键基础设施已投入测试。目前,关键的无线电频段资源短缺,无法满足需要。

摘要： 本文首先介绍了光电器件在信息领域中的地位，光子集成带来的通讯网络、数据互连、集成电路革命，硅光技术相较于PLC,InP平台的优势，硅光市场发展预测，我国以及世界Si-EPIC的发展状况。在这一背景下，EPIC组的追求是在基础研究与企业需求之间搭建起桥梁。 在硅基光器件的方方面面，都做了很多工作。例如，激光器集成方面，做了半导体激光器的微组装，实现了硅基波长可调激光器;在数字硅基调制器方面，做了60G的调制器;在模拟硅基调制器方面，器件性能也很不错。还做了波长复用解复用器、硅基滤波器、模式复用解复用器、偏振控制器等。做了64×64热光开关、32×32电光开关，利用benes网络做了大规模的互补探测，用于光开关的大规模扩展。在耦合器方面，做的器件性能也都很不错。一直致力于优化器件性能，做开创性工作，回应国家产业需求。

摘要： 介绍了研究背景与意义，平面型钙钛矿太阳电池性能的优化，引入PC61BM缓冲层制备多孔结构的前躯体薄膜，优化钙钛矿薄膜质量提高器件性能，平面型钙钛矿太阳电池在钙钛矿/硅异质结叠层电池中的应用。

摘要： 近年来,随着显示技术的迅速发展,非晶氧化铟镓锌薄膜晶体管由于其较好的均匀性和高迁移率得到了广泛的应用.通常沉积IGZO薄膜技术主要为射频磁控溅射(RF),由于需要在溅射过程中放电,沉积速率较低,不利于提高生产效率,降低成本.而直流磁控溅射(DC)与RF相比,无放电过程,溅射速度快.采用DC制备了a-IGZO TFT,如图1.在相同功率条件下,沉积速率从RF的3.5nm/min提高到DC的30nm/min,实现了高速沉积IGZO薄膜.因为DC速度快，导致In,Ga,Zn,O没有充分的时间结合，弱结合氧较多，容易脱附形成氧空位，从而增加了载流子浓度，提高了器件性能。

摘要： 随着3He气体资源短缺、价格飞涨,基于3He气体的中子探测器已经无法满足急剧增长的中子探测需求.基于6LIF/ZnS(Ag)闪烁体和波移光纤结构的大面积位敏中子探测器,具有高的中子探测效率、高位置分辨率和可大面积拼接等优点,可以很好的满足中国散裂中子源(CSNS)上通用粉末衍射仪对中子探测的需求.本文系统研究了双层夹心结构闪烁体中子探测器的各个关键器件性能,设计制作了面积250mm2×500mm2的闪烁体中子探测器样机,并利用252Cf中子源对探测器开展初步性能研究.

摘要： 交流电压试验是电能表国家计量检定规程规定的检定项目之一,也是国家电网公司抽样验收试验和全数验收试验的必检项目,因此确保智能电能表通过交流电压试验至关重要.由于智能电能表较之普通电子式电能表增加了通讯、多功能测试等辅助线路,按照电能表国标要求,辅助线路也应耐受交流电压试验,因此对智能电能表线路设计和器件性能提出了新的要求.分析了智能电能表交流电压试验要求及电气原理,得出了影响交流电压试验的几个关键器件,并根据生产过程交流耐压不良原因分析,提出了提高智能电能表交流电压性能的几项措施.

摘要： InAs/GaSbⅡ类超晶格探测器具有响应波段宽、量子效率高、工作温度高、暗电流低、材料均匀性和稳定性好等优点,使其成为第三代红外焦平面探测器的最佳选择.尤其是在长波、甚长波及双色红外探测方面具有优异的器件性能,使其在太空领域具有广阔的应用前景.本文详细分析了InAs/GaSbⅡ类超晶格材料及器件的技术优势,重点介绍了InAs/GaSbⅡ类超晶格探测器在国内外的研究进展,并阐明了InAs/GaSbⅡ类超晶格探测器研究所面临的主要挑战,同时展望了InAs/GaSbⅡ类超晶格探测器在太空领域的应用前景.

摘要： InAs/Ga(In)Sb Ⅱ类超晶格材料因为特殊的二型能带结构,可以通过人造低维结构获得类似于体材料的带间吸收,从而获得较高的量子效率；另外,通过调节材料参数调节能带结构,器件响应波段可调；通过能带结构设计抑制俄歇复合,获得较小的暗电流和较高的器件性能.因为以上特有的材料性能和器件特性,Sb基二类超晶格在国际上被认为是第三代红外焦平面探测器的优选材料.本文对二类超晶格材料的设计和器件特性进行了研究,设计了峰值波长4微米的中波红外探测器,77K温度下峰值探测率2.4× 1011cmW-1Hz1/2,在没有蒸镀抗反膜的条件下,对应的量子效率47.8％,峰值探测率已经接近目前的碲镉汞中波红外探测器器件性能.研究结果充分显示了二类超晶格优越的材料和器件性能.

摘要： 红外技术对高性能、低成本红外探测器的应用需求，决定了对高品质的红外探测材料及其器件不断的追求、探索与发展。量子阱低维红外探测器其材料生长技术成熟，器件性能优越，产业化优势明显，已经作为第三代红外探测器在国际上获得重要的发展。本文介绍了相关发展情况以及应用情况，提出了在我国迅速发展量子阱红外探测器的需求。

摘要： 分析了电容器盖板、橡胶塞等密封材料对器件性能的影响机理,指出铝电解电容器耐久性与可靠性与电容器的密封材料有着密切的关系。

摘要： 随着现代社会的发展,组合导航技术在高速、超高速运动载体中的应用越来越普遍,其中INS/GNSS深耦合接收机技术是未来的主要发展方向.载体在不同动态环境对不同精度的INS器件要求是不同的,针对不同级别高动态环境下如何选用不同精度的INS器件这一问题,文章采用标量形式的INS/GNSS深耦合接收机,将INS信息辅助到GNSS接收机环路形式,系统仿真分析了载体在速度为500m/s、2000m/s、和4000m/s,加速度10g、50g和100g高动态条件下,MEMS器件级、光纤级和激光级三种不同精度INS器件对INS/GNSS深耦合接收机中信号捕获与跟踪的影响.通过实验仿真表明:在高动态复杂环境下,MEMS器件级、光纤级和激光级三种不同性能的INS器件辅助的INS/GNSS深耦合接收机在信号的捕获时间上可以缩短为原来五分之一到十分之一;采用MEMS器件级INS器件可以跟踪速度为500m/s,加速度为10g的高动态;光纤级可以跟踪速度为2000m/s,加速度为50g的高动态;激光级可以跟踪速度4000m/s,加速度为100g的高动态,此研究为实际的工程应用提供重要的指导意义.

摘要： 本发明涉及一种器件抗挤压性能测试夹具和器件抗挤压性能测试装置。器件抗挤压性能测试夹具包括安装于可上下往复运动的冲击装置表面的基座，所述基座内设有容置通道，所述容置通道中设有预定重量的加压块和待测试器件，且所述基座安装于冲击装置时，所述待测试器件位于加压块的下方。该器件抗挤压性能测试装置包括器件抗挤压性能测试夹具和可上下往复运动的冲击装置。本发明利用器件抗挤压性能测试夹具夹紧待测试器件，通过冲击装置的惯性作用力，加压块会对待测试器件施加压力而对待测试器件进行挤压，借此确定器件的抗挤压性能，快速确定器件的抗挤压性能。

摘要： 本发明涉及一种器件抗挤压性能测试夹具和器件抗挤压性能测试装置。器件抗挤压性能测试夹具包括安装于可上下往复运动的冲击装置表面的基座，所述基座内设有容置通道，所述容置通道中设有预定重量的加压块和待测试器件，且所述基座安装于冲击装置时，所述待测试器件位于加压块的下方。该器件抗挤压性能测试装置包括器件抗挤压性能测试夹具和可上下往复运动的冲击装置。本发明利用器件抗挤压性能测试夹具夹紧待测试器件，通过冲击装置的惯性作用力，加压块会对待测试器件施加压力而对待测试器件进行挤压，借此确定器件的抗挤压性能，快速确定器件的抗挤压性能。

摘要： 在一些实施例中提供一种压电器件。所述压电器件包括半导体衬底。在半导体衬底之上设置有第一电极。在第一电极上设置有压电结构。在压电结构上设置有第二电极。在半导体衬底之上设置有加热元件。加热元件被配置成将压电结构加热到恢复温度达一时间段，其中将压电结构加热到恢复温度达所述时间段会改善压电器件的劣化的电特性。

摘要： 本发明涉及一种制造光电子器件(35)的方法，其包括以下连续步骤：在基板上形成第一导电垫和第二导电垫(44、45)；沉积覆盖第一导电垫和第二导电垫的活性有机层；在活性有机层上沉积与活性有机层接触的第一界面层；在第一界面层中形成第一开口，并在第一开口的延伸部分中在活性有机层中形成第二开口，以暴露第二导电垫；以及形成至少部分地延伸在第一开口和第二开口中的第二界面层(62)，第二界面层与第一界面层和第二导电垫接触。

摘要： 本发明公开了一种新型的光响应配位化合物，在其配位配体上具有至少一个光致变色单元。该光响应配位化合物被证明能够用作制造有机存储器件的电活性材料以及光控电子传输材料。

摘要： 本公开涉及具有改进的电气性能的JBS设备器件以及JBS设备器件的制造工艺。本公开提供了一种结势垒肖特基器件，包括SiC的半导体主体，半导体主体为具有第一导电性。具有第二导电性的注入区域从半导体主体的顶部表面延伸到半导体主体中，以与半导体主体形成结势垒二极管。电端子，横向于所述注入区域，与注入区域欧姆接触并且与顶部表面直接电接触，以与半导体主体形成肖特基二极管。注入区域由第一部分和第二部分形成，第一部分和第二部分被彼此直接电连接并且沿着横向于顶部表面的对齐轴线被对齐。正交于对齐轴线，第一部分具有第一最大宽度，并且第二部分具有第二最大宽度，第二最大宽度大于第一最大宽度。

摘要： 本发明公开了一种集成无源器件和声学机械波器件结合的高性能滤波器，涉及滤波器技术领域,包括基板、FBAR器件、IPD器件，所述FBAR器件包括cap层和RDL层，所述FBAR器件与IPD器件集成组装在基板上，所述FBAR器件与IPD器件的集成方式包括部分布线以及电感走线集中在FBAR器件的cap层和RDL层中或IPD器件集成于FBAR器件的cap层中的一种。本发明可以较多的减少FBAR级联级数，缩小FABR器件的尺寸，同时结合IPD器件相对的增加了整体的散热效果(提升功率容量)以及加强对寄生谐波的抑制。能够灵活实现不同频段、不同带宽、的低插损、高矩形系数、高功率、高谐波抑制的产品，适宜推广使用。

摘要： 本实用新型公开了一种航空飞行器零器件拉伸性能检测用的零器件固定装置，包括第一连接块、夹紧盖和固定钩，第一连接块滑动安装在所述滑槽内，夹紧盖和固定钩分别转动安装在连接块的左右两侧，夹紧盖能够旋转压合在第一连接块上，固定钩能够将夹紧盖固定，第二连接块中间位置开设的凹槽内设置有梯形填充块，梯形填充块通过沉头螺钉与第二连接块固定连接。本实用新型通过设置第一连接块、夹紧盖和夹紧片对零件进行固定，能够实现预固定的功能，无需人工手持对零件位置进行调节，使用更加方便，通过在第二连接块梯形填充块内设置梯形填充块能够对不同形状的零件进行固定，节省成本，满足不同的使用需求。

摘要： 本发明公开了一种基于器件性能的RESURF功率器件结构自动优化方法，包括：S1：设定结构参数范围，获取不同结构预测器件性能的数据集，训练由器件结构预测器件性能的神经网络模型；S2：设定目标函数为器件理想性能与预测性能之间的误差函数；S3：在选取器件结构参数范围内，初始化结构选取，预测选取结构的性能，计算目标函数值并将其反馈给结构优化选取模型，优化选取结构的模型，重复优化选取结构过程直至给出满足预期性能指标的器件结构。本发明利用贝叶斯优化，强化学习等方法，使用器件性能指标，能够精确、简单快速的进行器件结构的自动优化，并且降低了成本。本发明优化的器件结构，其性能指标相对于实际理想值偏差均值在5％左右，精确度较高。

摘要： 本发明公开了一种通过添加紫外吸收剂增强钙钛矿太阳电池光稳定性和器件性能的方法及器件结构，属于太阳电池技术领域。其特征在于将紫外吸收剂涂覆在太阳电池迎光面功能层表面、体内或界面，包括透明导电衬底前或后、或添加在钙钛矿薄膜、电子传输层、空穴传输层的体内或界面处。紫外线吸收剂为水杨酸酯类衍生物、对氨基苯甲酸酯类衍生物、亚苄基樟脑衍生物、苯并三唑类衍生物、三嗪类衍生物、二苯甲酮类紫外线衍生物等中的至少一种。本发明可以减少或消除钙钛矿太阳电池在实际使用过程中吸收紫外光而发生的降解，提高基于钙钛矿材料的单结或叠层太阳电池的紫外稳定性，提升钙钛矿材料结晶质量，加速钙钛矿太阳电池商业化进程。