用MOVPE方法外延生长Si掺杂的立方相GaN(英文)

著录项

• 来源
  《发光学报》 |2001年第s1期|1-4|共4页
• 作者

  WU Jun; ZHAO F H; Ito Y; Yoshida S; Onabe; Shiraki Y;

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• 作者单位

  Graduate School of Frontier Science;

  Yokohama R&D Laboratory;

  Research Center for Advanced Science and Technology The University of Tokyo;

  731 Hongo;

  Bunkyoku;

  Toky;

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• 原文格式 PDF
• 正文语种 chi
• 中图分类 发光学;
• 关键词

  Si掺杂GaN; MOVPE; 光致发光特性;