NH_3分解率对GaN半导体MOVPE外延生长成分空间的影响

李长荣; 卢琳; 杜振民; 张维敬

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NH_3分解率对GaN半导体MOVPE外延生长成分空间的影响

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研究了以三甲基镓 (TMGa)和氨 (NH3 )为气源物质 ,以氢气 (H2 )为载气进行GaN半导体的金属有机物气相外延 (MOVPE)生长时 ,NH3 分解率对于GaN半导体外延生长的成分空间的影响。热力学计算结果表明 :随着NH3分解率的提高 ,用于生长GaN外延层的气 +固两相区逐渐向高Ⅴ /Ⅲ比方向变小 ,解释了实际生长过程中Ⅴ /Ⅲ比要求很高的原因。预计高的Ⅴ /Ⅲ比及低的NH3 分解率有助于GaN的MOVPE外延生长。

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来源
《稀有金属》 |2002年第4期|241-244|共4页
作者
李长荣; 卢琳; 杜振民; 张维敬;
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作者单位

北京科技大学材料科学与工程学院;

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正文语种 chi
中图分类化合物半导体;
关键词
热力学分析; 氮化镓; MOVPE;

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