Mg掺杂CaCu_(3)Ti_(4)O_(12)薄膜的制备与表征

姜明; 程战; 赵丹; 张雷; 徐东

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Mg掺杂CaCu_(3)Ti_(4)O_(12)薄膜的制备与表征

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采用改进的溶胶凝胶法制备Mg掺杂的CaCu_(3-x)Mg_(x)Ti_(4)O_(12)(x=0、0.05、0.1、0.15和0.2,摩尔分数,%)薄膜。对掺Mg的CaCu_(3)Ti_(4)O_(12)(CCTO)薄膜的微观结构和电性能进行研究。与未掺杂的CCTO薄膜相比,掺Mg的CCTO薄膜的晶粒尺寸较小。此外,与未掺杂的CCTO薄膜相比,掺Mg的CCTO薄膜具有高介电常数和出色的频率稳定性。同时,Mg掺杂可以减少CCTO薄膜在10^(4)~10^(6) Hz频率范围内的介电损耗。结果表明,与未掺杂的CCTO薄膜相比,掺Mg的CCTO薄膜具有良好的电学特性,x=0.15和x=0.1的Mg掺杂CCTO薄膜的非线性系数分别提高到7.4和6.0。

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来源
《中国有色金属学报：英文版》 |2022年第5期|1589-1597|共9页
作者
姜明; 程战; 赵丹; 张雷; 徐东;
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作者单位

安徽工业大学冶金减排与资源循环教育部重点实验室;

安徽工程大学材料科学与工程学院;

中机智能装备创新研究院(宁波)有限公司;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TQ1;
关键词
介电材料; CaCu_(3)Ti_(4)O_(12); Mg掺杂; 介电常数; 介电损耗; 压敏性能;

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