基于电学修正多晶硅纳米薄膜的压力传感器

陆学斌; 孙伟; 于斌

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基于电学修正多晶硅纳米薄膜的压力传感器

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为了进一步提高多晶硅纳米薄膜压力传感器的性能,使用80 nm厚度的多晶硅纳米薄膜作为压力传感器的压敏电阻,设计制作了一款压力传感器。压力传感器制备封装完毕后,利用电学修正技术使多晶硅纳米薄膜压敏电阻更精确地匹配。对压力传感器的制备流程进行了完整描述,在25℃至200℃的温度范围内,测试了压力传感器的性能。压力传感器的满量程为0.6 MPa,在25℃和200℃时,灵敏度分别为22.19(mV/V)/MPa和18.30(mV/V)/MPa,在没有外界补偿的情况下,灵敏度的温度系数约为-0.10%/℃。在25℃和200℃时,失调分别是1.653 mV和1.615 mV,失调的温度系数约为-0.013%/℃。由于电学修正多晶硅纳米薄膜具有良好的压阻特性和温度稳定性,压力传感器表现出较好的性能。

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来源
《传感技术学报》 |2022年第10期|1335-1339|共5页
作者
陆学斌; 孙伟; 于斌;
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作者单位

湖州职业技术学院物流与信息工程学院;

湖州职业技术学院建筑工程学院;

哈尔滨理工大学计算机科学与技术学院;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类计算机网络;
关键词
压力传感器; 多晶硅纳米薄膜; 电学修正; 压阻特性;

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