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金属氧化物半导体SnO2气敏传感器

         

摘要

@@ SnO2具有金红石型的晶体结构,禁带宽度约为3.6 eV.由于Sn的电子亲合力不太强,晶态SnO2都具有氧空位,故属于N型金属氧化物半导体[1].作为施主的氧空位,其能级在导带下约0.15 eV处[2].在制备气体传感器时,为了达到一定的机械强度和使用寿命,常把SnO2制成陶瓷材料烧制在衬底上.工作时,衬底加热到一定温度,与还原性气体接触后,SnO2阻值下降,正是利用这种阻值变化来实现对可燃性气体或有害气体进行检测[3].

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