硅—MOS型三维磁场敏感器结构研究

赖宗声; 刘亿

首页> 中文期刊> 《传感技术学报》 >硅—MOS型三维磁场敏感器结构研究

硅—MOS型三维磁场敏感器结构研究

开具论文收录证明 >>

期刊封面封底目录下载 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

本文提出了一种硅-MOS型三维磁场敏感器结构,它是将对B_z分量敏感的一维横向DMOS(LDMOS)与对B_x和B_y分量敏感的两维的纵向DMOS(VDMOS)开合集成在一起。该磁场敏感器的最小空间分辨率为:10μm×16μm×32.5μm,相对灵敏度S_(RY)优于6×10^(-2)T^(-1)。当外加磁感应强度低于0.4T时该器件非线性误差低于1×10^(-2)。由于本器件采用了特殊的相容性制造工艺,可易于得到与磁敏器件接口的电路优化设计。

著录项

来源
《传感技术学报》 |1991年第3期|1-6|共6页
作者
赖宗声; 刘亿;
展开▼
作者单位

不详;

不详;

展开▼
原文格式 PDF
正文语种 CHI
中图分类敏感器件;
关键词
磁场敏感器; 结构; 三维;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. (Mo_3S_4)_2M^(8+)(M=Mo,Sn,Cu_2)型夹心簇合物的电子结构研究 [J] . 李俊篯 ,王哲民 ,黄金陵 . 高等学校化学学报 . 1992,第1期
2. 用于太赫兹成像的CMOS肖特基二极管三维结构研究 [J] . 崔大圣 ,杨佳铭 ,姚宏璇 . 红外与毫米波学报 . 2021,第002期
3. 考虑MOS效应的锥型硅通孔寄生电容解析模型 [J] . 杨银堂 ,王凤娟 ,朱樟明 . 电子与信息学报 . 2013,第012期
4. 富士通开发出硅锗p型MOS晶体管 [J] . . 电子工程师 . 2002,第7期
5. MOS型硅功率器件平面终端结构 [J] . 秦祖新 ,刘三清 . 微电子学 . 1992,第2期
6. 行波磁场作用下晶硅铸锭炉中的传热流动特性加热器生成磁场作用下铸锭炉中硅熔体的流动特性 [C] . 李早阳 ,邵玥 ,齐小方 . 第十三届全国太阳级硅及光伏发电研讨会 . 2017
7. 四极磁场下CZ法单晶硅生长三维数值模拟 [A] . 惠一龙 . 2015

硅—MOS型三维磁场敏感器结构研究

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅