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富士通; 硅锗; p型MOS晶体管;
机译:作者对有关在频率范围为7-50 kc / s的结型晶体管噪声的测量的讨论作出了答复。锗扩散结光电电池晶体管功率放大器晶体管直流转换器????????硅微波二极管中的噪声
机译:关于在7-50 kc / s频率范围内测量结型晶体管噪声的讨论?????????,锗扩散结光电二极管,电池?????????,?????????晶体管功率放大器?????????,????????晶体管dc转换器????????硅微波二极管中的噪声在1955年5月11日的无线电和测量部门的联席会议之前
机译:变形锗衬底上硅MOS晶体管沟道特性的仿真
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机译:应变对硅和锗p型金属氧化物半导体场效应晶体管的空穴迁移率的影响
机译:锗/ MoS2单层和硅/ MoS2单层超晶格的结构和电子性质
机译:生产工程测量Da-36-039-sC-86727硅平面外延晶体管型2N2193硅生长扩散型2N336
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机译:在硅-锗层中具有高锗浓度的双极结型晶体管和形成双极结型晶体管的方法
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