富士通开发出硅锗P型MOS晶体管

盛柏桢

首页> 中文期刊> 《半导体信息》 >富士通开发出硅锗P型MOS晶体管

富士通开发出硅锗P型MOS晶体管

开具论文收录证明 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

正富士通研究所日前宣布,通过在晶体管沟道部位采用SiGe(硅锗)材料,并将沟道方向设定成特定方向(100方向),从而成功地开发出了低耗电量的高速P型MOS晶体管。之所以能够实现此次的技术,首先,在理论上进行了这样的预测;与其他方向相比,挠曲SiGe的100方向上的载流子迁移率将会大幅提高,其次,还运用了低温加工技术和SiGe结晶生长技术等。此次开发出的晶体管的特点如下:

著录项

来源
《半导体信息》 |2003年第2期|P.28-29|共2页
作者
盛柏桢;
展开▼
作者单位

展开▼
原文格式 PDF
正文语种 CHI
中图分类半导体三极管（晶体管）;
关键词
SiGe; 特定方向; 寄生电阻; 载流子迁移率; 结晶生长; 加工技术; 漏极; 缺陷密度; 笔记本电脑; 运行速度;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. 富士通开发出硅锗p型MOS晶体管 [J] . . 电子工程师 . 2002,第7期
2. P型锗MOS结构的C—V特性 [J] . 徐志元 ,徐金洲 . 半导体杂志 . 1992,第001期
3. P型硅并五苯有机场效应晶体管的研制 [J] . 董茂军 ,陶春兰 ,孙硕 . 功能材料 . 2007,第A02期
4. 硅PNP型大功率达林顿晶体管 [J] . 裴军胜 . 现代电子技术 . 2006,第017期
5. 硅/锗基场效应晶体管沟道中载流子散射机制研究进展 [J] . 赵毅 ,李骏康 ,郑泽杰 . 物理学报 . 2019,第016期
6. 锗硅/硅异质结双极晶体管的研制 [C] . 刘道广 ,李开成 ,张静 . 第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议 . 2001
7. 锗硅异质结晶体管与柔性硅二极管的辐照损伤特性研究 [A] . 赵政 . 2018

富士通开发出硅锗P型MOS晶体管

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅