薄膜气敏元件用扩散电阻型热子的研制

戴国瑞; 张青月; 刘克勇; 陈丽华; 康昌鹤

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作者综合文献[4,5]和[3]的构思制得如图1所示结构的气敏元件.其特点,在采用了硅平面工艺技术的扩散法制成的热子.如此,既符合集成化制作趋势,又省去另制热子的麻烦.1.热子设计思路（1）假设元件工作在绝热状态下,并认为SiO2层和气敏膜的热容较衬底硅片的热容小甚多,可忽略不计.则面积为A、厚度为D、密度为η、比热为Cp的硅片,在时间间隔τ内,由室温t0上升到工作温度t所需功率为

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来源
《传感技术学报》 |1990年第3期|P.63-64|共2页
作者
戴国瑞; 张青月; 刘克勇; 陈丽华; 康昌鹤;
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作者单位

吉林大学;

吉林大学;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TP212-55;
关键词
气敏元件; 电阻型; 平面工艺; 时间间隔; 综合文献; 工作温度; 热容; 扩散法; 电阻阻值; 热损耗;

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