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间接等离子体聚合制备聚吡咯薄膜

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摘要

通过吡咯在氩辉光放电气流下游区域的间接等离子体聚合作用制备了聚吡咯薄膜。研究了聚合膜的沉积速率，用ＦＴＩＲ、ＸＰＳ、ＳＥＭ、ＸＲＤ、ＴＥＤ等手段表征了聚合膜的结构和形态。结果表明，聚合膜完整地保留了吡咯单体的共轭结构，显示出较高的导电性，化学掺杂碘以后膜的室温电导率为１０－７～１０－６Ｓ／ｃｍ。

著录项

来源
《合成化学》 |1996年第3期|198-200|共3页
作者
曹伟民; 周坤粦; 张勇;
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作者单位

不详;

不详;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类杂环链聚合物（链上含有杂环的聚合物）;
关键词
等离子体聚合; 聚吡咯; 薄膜; 共轭结构; 导电性;

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