Effect of Al Doping on Properties of SiC Films

苏剑峰; 姚然; 钟泽; 傅竹西

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Undoped 和做 Al 的 3C-SiC 电影被低压的化学蒸汽免职在 Si (100 ) 底层上扔。crystallinity，紧张压力，表面形态学和生长上的铝加入的效果评价原文如此，电影被调查了。X 光衍射模式和摇的曲线显示 crystallinity 与铝做被改进。拉曼敲打声模式也证明紧张强调在原文如此，电影由于艾尔离子的加入和电影厚度的增加被释放。由于被 trimethylaluminium 导致的表面反应的催化作用，而且，生长率极大地被增加，生长过程从三维的岛生长模式变化到步流动生长模式。[从作者抽象]

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来源
《中国物理快报：英文版》 |2008年第9期|3346-3349|共4页
作者
苏剑峰; 姚然; 钟泽; 傅竹西;
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作者单位

Department of Physics;

University of Science and Technology of China;

Hefei 230026;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类薄膜的性质;
关键词
碳化硅薄膜; 铝掺杂; 化学气相沉积; 薄膜性能;

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