机译:氢等离子体对F掺杂ZnO薄膜和p-i-nα-Si:H薄膜太阳能电池电性能的影响
机译:氢等离子体对F掺杂ZnO薄膜电性能的影响及P-I-Nα-Si:H薄膜太阳能电池
机译:不同磁控溅射功率300℃沉积Ga_2O_3-ZnO薄膜的光电性能及其在p-i-nα-Si:H薄膜太阳能电池中的应用
机译:射频溅射通过物理气相沉积处理Cu(In,Ga)Se2薄膜太阳能电池的ZnO,ZnO:Al薄膜的沉积和表征
机译:RF溅射法制备Si / Ingan异质结太阳能电池:改进氮化铟镓(IngaN)薄膜的电气和光学性能
机译:SiNx阻挡层对聚酰亚胺Ga2O3掺杂的ZnO p-i-n氢化非晶硅薄膜太阳能电池性能的影响
机译:Role of siNx Barrier Layer on the performances of polyimide Ga2O3-doped ZnO p-i-n Hydrogenated amorphous silicon Thin Film solar Cells
机译:离子镀技术制备氢化非晶硅薄膜和薄膜太阳能电池的制备与表征。最终报告,1979年1月1日至1980年5月31日