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汤宝; 徐应强; 周志强; 郝瑞亭; 王国伟; 任正伟; 牛智川;
State Key Laboratory for Superlattices and Microstructures;
Institute of Semiconductors;
Chinese Academy of Sciences;
Beijing 100083;
分子束外延生长; 红外探测器; 短波红外; 锑化镓; 超晶格; 砷化镓; 光电导探测器; GaAs;
机译:Design and passivation of short-/mid-wavelength dual-color infrared detector photodiodes based on InAs/GaSb type II superlattice
机译:Anodic fluoride passivation of type II InAs/GaSb superlattice for short-wavelength infrared detector
机译:Long-wavelength InAs/GaSb superlattice double heterojunction infrared detectors using InPSb/InAs superlattice hole barrier
机译:INAS / GASB Superlattice质量调查
机译:GaAs衬底上分子束外延生长的中波和长波InAs / GaSb超晶格的电学性质
机译:mn注入和室温下的室温铁磁性行为 通过molecular Beam Epitaxy沉积的后退火Inas层
机译:高温下si,Ge,Gaas,Gasb,Inas和Inp的光学特性
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