Effect of Zn Interstitials on Enhancing Ultraviolet Emission of ZnO Films  Deposited by MOCVD

钟泽; 孙利杰; 陈小庆; 邬小鹏; 傅竹西

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Effect of Zn Interstitials on Enhancing Ultraviolet Emission of ZnO Films Deposited by MOCVD

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ZnO 电影被金属在 Si (111 ) 底层上种器官的化学蒸汽免职方法。有 Zn 和 O 的不同 stoichiometric 作文的样品被在先锋改变在 3 之间的 II/VI 臼齿的比率和 1/3 获得。X 光光电子光谱学和紫外排放与样品的增加的 Zn/O 作文比率提高的光致发光结果表演。过剩 Zn 原子在空隙的位置积累到形式 Zn 空隙的缺点，这被建议。与施主 Zn 联合免费激子的散发的再结合空隙提高样品的紫外排放。[从作者抽象]

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来源
《中国物理快报：英文版》 |2010年第9期|147-150|共4页
作者
钟泽; 孙利杰; 陈小庆; 邬小鹏; 傅竹西;
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作者单位

Department of Physics;

University of Science and Technology of China;

Hefei 230026;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类碳C;
关键词
化学气相沉积法; 氧化锌; MOCVD; ZnO薄膜; 紫外发射; 填隙; Si(111); 紫外线辐射;

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