Si衬底GaN基功率型LED制造技术开发

机译：在50 mm Si衬底上使用胶水结合法制造的InGaN-GaN LED的性能

机译：GaN基外延膜上的应力管理：在Si衬底上实现高性能LED的新视野

机译：超晶格应力消除层中InGaN与GaN的厚度比对在Si衬底上生长的InGaN基绿色LED的光电性能的影响

机译：具有高光提取效率的GaN基LED在p型GaN表面上的纳米结构的设计和制造

机译：高性能紫外线光电探测器和LED和光电探测器的单片集成在SI上生长的P-GAN / AlGaN / GaN异质结构上的LED和PhotoTopetector

机译：凹图案蓝宝石衬底上生长的GaN基LED的晶体质量和光输出功率

机译：通过P-GaN表面处理AR等离子体处理的GaN基LED输出功率的增强

机译：m面alGaN / GaN和alInN / GaN异质结构的外延生长适用于常驻型GaN基板上的常关模式高功率场效应晶体管

机译：GaN基LED元件，制造方法以及用于制造GaN基LED元件的模板的GaN基LED元件

机译：GaN基LED元件，制造GaN基LED元件的方法以及制造GaN基LED元件的模板

机译：Si衬底上的增强型GaN基HEMT器件及其制造方法