高稳定MEMS硅压力敏感芯片关键技术研究

张治国; 李颖; 郑东明; 刘宏伟; 金琦; 祝永峰; 刘波

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在单晶硅晶圆的基础上,设计了压力敏感芯片结构,并基于MEMS工艺制作了压力敏感芯片.根据芯片实际已经有要求,提出了提高芯片稳定性的制备过程的关键工艺其影响因素.测量结果表明,所制备高稳定MEMS硅压力敏感芯片线性度优于0.1%,重复性0.05%,迟滞性为0.05%,满足工业压力变送器的高精度测量要求,在实际工程应用中应用效果良好.

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来源
《中国科技成果》 |2020年第16期|37-39|共3页
作者
张治国; 李颖; 郑东明; 刘宏伟; 金琦; 祝永峰; 刘波;
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作者单位

沈阳仪表科学研究院有限公司东北沈阳 110179;

沈阳仪表科学研究院有限公司东北沈阳 110179;

沈阳仪表科学研究院有限公司东北沈阳 110179;

沈阳仪表科学研究院有限公司东北沈阳 110179;

沈阳仪表科学研究院有限公司东北沈阳 110179;

沈阳仪表科学研究院有限公司东北沈阳 110179;

沈阳仪表科学研究院有限公司东北沈阳 110179;

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正文语种 chi
中图分类
关键词
压力传感器; 敏感芯片; 关键技术; 压阻效应;

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