InSb红外探测器表面钝化工艺研究

信思树; 黎秉哲; 郭胜; 袁俊; 孙翔乐; 王甜姗

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InSb红外探测器表面钝化工艺研究

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本文工作主要研究了InSb红外探测器表面钝化工艺问题,逐一探讨了射频功率、R(SiH4:N2O)配比、沉积温度、工作压强等工艺参数对InSb芯片表面钝化工艺的影响。将不同条件下获得的材料分别制成MIS结构和红外探测器并进行C-V和I-V测试,结果表明在射频功率为80 W、R配比为20:10、沉积温度为200℃、工作压强为10 Pa时,钝化后的试样C-V特性曲线良好,I-V特性曲线反向平缓,性能较好,满足探测器芯片研制的要求,进一步证实了该条件下的钝化效果较佳。

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来源
《云光技术》 |2020年第2期|P.25-31|共7页
作者
信思树; 黎秉哲; 郭胜; 袁俊; 孙翔乐; 王甜姗;
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作者单位

昆明物理研究所云南昆明650023;

昆明物理研究所云南昆明650023;

昆明物理研究所云南昆明650023云南师范大学云南昆明650500;

昆明物理研究所云南昆明650023;

昆明物理研究所云南昆明650023;

昆明物理研究所云南昆明650023;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类金属学与热处理;
关键词
表面钝化; InSb; PECVD;

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